力合创投今日官微消息,力合创投在孵在投企业瑞波光电作为国内激光雷达发射芯片供应商,日前推出具备自主核心技术的新一代3J和4J的低温漂65W、135W、165W905nm芯片系列,波长随温度变化系数小于0.09nm/K,部分型号达到0.06nm/K,在温度漂移特性已经接近甚至优于VCSEL,实现了国产905nm EEL芯片的重大技术突破,填补了国内空白,同时削弱了VCSEL的竞争优势。据悉,在过去的2022年,瑞波905nm EEL激光雷达发射芯片通过车规AEC-Q102里四项测试项目,包括HTOL、WHTOL、PTC和ESD-HBM。瑞波光电目前已经与国内多家头部激光雷达厂商展开深度合作,并实现批量的应用。
瑞波光电实现国产905nm EEL芯片重大技术突破
作者:财中快讯 53505/05
力合创投今日官微消息,力合创投在孵在投企业瑞波光电作为国内激光雷达发射芯片供应商,日前推出具备自主核心技术的新一代3J和4J的低温漂65W、135W、165W905nm芯片系列,波长随温度变化系数小于0.09nm/K,部分型号达到0.06n
免责声明:本网转载合作媒体、机构或其他网站的公开信息,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性,信息仅供参考,不作为交易和服务的根据。转载文章版权归原作者所有,如有侵权或其它问题请及时告之,本网将及时修改或删除。凡以任何方式登录本网站或直接、间接使用本网站资料者,视为自愿接受本网站声明的约束。联系电话 010-57193596,谢谢。