据科创板日报援引日媒,Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作,共同开发电路线宽为1纳米级的新一代半导体设计的基础技术。据悉,1纳米产品需要不同于传统的晶体管结构,Leti在该领域的成膜等关键技术上占优。
Rapidus、东京大学与法国半导体研究机构Leti合作开发1nm制程半导体
作者:财中快讯 17611/17
据科创板日报援引日媒,Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作,共同开发电路线宽为1纳米级的新一代半导体设计的基础技术。据悉,1纳米产品需要不同于传统的晶体管结构,Leti在该领域的成膜等关键技术上占优。
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