当前位置: 首页 » 快讯 » 快讯 » 正文

三星考虑将MUF技术应用于服务器DRAM内存

作者:财中快讯 36603/04

三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MR MUF工艺,与TC NCF相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。经过测试,该公司得出结论,MUF不适用于高带宽内存(H

标签:

三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MR MUF工艺,与TC NCF相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。经过测试,该公司得出结论,MUF不适用于高带宽内存(HBM),但非常适合3DS RDIMM,而目前3DS RDIMM使用硅通孔(TSV)技术制造,主要用于服务器。

免责声明:本网转载合作媒体、机构或其他网站的公开信息,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性,信息仅供参考,不作为交易和服务的根据。转载文章版权归原作者所有,如有侵权或其它问题请及时告之,本网将及时修改或删除。凡以任何方式登录本网站或直接、间接使用本网站资料者,视为自愿接受本网站声明的约束。联系电话 010-57193596,谢谢。

财中网合作