“一代硅王”朱共山正式加盟第三代半导体厂商宏光半导体！

12月13日，宏光半导体就与协鑫科技控股有限公司创办人、主席兼执行董事朱共山先生（“朱先生”）于2022年8月4日所订立的投资协议（“投资协议”）举行股东特别大会，有关投资协议的决议案获一致通过，朱先生正式成为宏光半导体的主要战略股东。

根据此前投资协议，朱先生间接认购宏光半导体的6,000万股认购股份及6,000万份认股权证，鉴于朱先生合理信纳宏光半导体的尽职审查调查结果，并将透过其指定的实益拥有实体常盛有限公司参与股份认购事项及认股权证认购事项，认购股份及认股权证股份于发行日期起计18个月内不得出售或转让。

作为世界系能源龙头企业协鑫科技的创建人，朱共山在新能源领域的地位可谓举足轻重。他敏锐的投资眼光使其一举一动都备受世人关注，成为投资市场高度关注的风向标。此次朱共山与宏光半导体的强强联手，有望在第三代半导体行业掀起一阵“芯“风暴。

缘何杀入第三代半导体赛道？

要回答这个问题，不得不提到炙手可热的第三代半导体对于新能源领域的重要意义。

所谓“第三代半导体”，即是按照芯片材料的历史进程划分，包括第一代的高纯度硅、第二代化合物半导体材料砷化镓与磷化铟，以及以碳化硅和氮化镓（下简称“GaN”）为代表的第三代化合物半导体材料。对比第一二代材料，第三代具有高击穿电压、高功率密度等优势，尤其在大功率、高温高频的工作环境中性能更为出色。其中，以第三代半导体材料制成的GaN器件由于其效率高且成本低的优势已吸引众多国际知名企业入局，如汽车巨头BMW已与专注于研发GaN技术的GaN Systems 签署供应协议。

GaN技术不仅蕴含着巨大的商业价值，对于聚焦新能源领域的协鑫集团而言还具备巨大的产业价值。众所周知，由于GaN器件具有静态和动态损耗低、寄生电容小、支持高频、开关速度快等优异性能，可大幅提升光伏发电效率。此外，GaN高频开关可使逆变器产生更干净的正弦波，导致无源组件的明显减少，进而降低光伏发电系统的尺寸、重量和成本，也可使储能系统实现低转换损耗。而以新能源、清洁能源为主的协鑫集团，第三代半导体芯片将是其未来的绝佳选择。至此，作为致力成为全港唯一集研发、制造、封测及销售为一体的全产业链半导体整合设备生产模式（IDM）公司，宏光半导体自然而然的成为了朱共山的合作伙伴。

强强联合 想象空间无限展开

日前，朱先生在其专访中曾提及，在“双碳”风口，协鑫最关键的是靠32年如一日的科研和新技术。2006年之初，多晶硅每公斤耗电达220度；2016-2017年，协鑫将每公斤耗电量降至60多度。现在，协鑫徐州基地的耗电量已降至每公斤约13度，整体能耗降低了85%，减碳85%。而日后，协鑫也将秉持着最初为国家碳中和尽一份力的情怀继续前行。

无独有偶，宏光半导体也一直致力于为地球环保出一份力。近年来，宏光半导体积极从LED灯珠业务转型到第三代半导体，更是于近期，仅花短短3个月时间便成功研发出自家6英寸GaN功率器件外延片，所需时间远超预期，更快于行业大型企业一般需要花1-2年的时间。宏光将预计将于2023年第二季开始晶圆试产，并计划于2024年初前开始投产芯片。

长远来看，两家的合作必将起到协同效应。一方面，未来协鑫集团在新能源领域将会产生大量的GaN芯片需求，宏光半导体生产的GaN 芯片将成为协鑫集团的能源工程业务、太阳能逆变器及储能技术中使用的基础组件的不二之选，帮助协鑫巩固其新能源行业龙头的地位。另外一方面，凭借朱先生及协鑫集团多年在新能源领域积累的丰富资源和领先技术，相信将能向宏光半导体提供质量上乘、整个固体晶格连续，边缘无破损，亦无任何晶界的硅片。协鑫集团的硅片供应可提振宏光半导体的信心，并确保其GaN业务发展的稳定性和质量，可借力快速而大规模地切入新能源市场。因此，宏光半导体与协鑫集团联袂成为战略合作伙伴，对于产业生态和双方发展而言都至关重要。

此次宏光半导体引入重磅战略投资者，既为投资界打开了新的视野，也为新能源市场和第三代半导体行业顿开新气象。后续的故事将如何开展？让我们拭目以待。