(报告出品方/作者:中国银河证券,高峰,王子路)
第三代半导体行业深度研究:电力电子器件领域,碳化硅大有可为
来源: 未来智库 66501/12
(报告出品方/作者:中国银河证券,高峰,王子路)核心观点:第三代半导体:更先进的材料,更优异的产品特性。第三代半导体材料是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料,包 括了碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),是制造高压大功率电力电
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