在“芯片规则”实施后，中企全速启动自主化产业体系的搭建，巅峰时期全球每新增20家芯片企业，其中就有19家来自国内，然而2022年“倒闭”的相关企业，却突破了5746家，

风风火火的背后，同样也隐藏着诸多“隐患”，一切还要归结于芯片的全球化属性，且基于硅基材料打造的电子芯片，真正算起来是美国人发明的，因此在一些基础技术、核心专利上，大部分源自于美企。

即便是垄断全球市场的台积电、ASML、三星等等企业，也无法摆脱含美的技术，才一步步沦为了拜登团队的“棋子”，而老美主导成立的“芯片四方联盟”、“半导体设备三方协议”等等，皆在针对中国半导体产业发展，试图将工艺锁死在14nm上。

因此中国半导体要想突出重围，就必须寻找弯道超车的途径，目前中企各方面的技术均有涉及，唯有高端的EUV光刻机没有一点头绪，作为造芯的核心设备，是能否突破14nm以下工艺量产的关键。

就在近日应用材料公司推出了“电子束测量设备”，可用于光刻技术对芯片的高精度检测，实现对于光刻工艺成本的降低，且多家企业开始涉足，目前已经被证实有望替代EUV，是否意味着中国的机会来了呢？

EUV将被电子束替代？

在光刻机自由出货还没被限制之前，所有的半导体厂商对ASML是没有想法的，对其的重要性也忽略不计，直到“瓦森纳条约”的制定，这才让各大企业开始“慌神”，随后就逐步演变成了涵盖DUV光刻机的“三方协议”，日本、荷兰妥协了跟进老美的新规。

这也直接引发了全球的不满，而ASML也因此饱受牵连，各个国家和地区纷纷启动芯片自主化产业搭建，而首先要突破的就是对于光刻机的依赖，而电子束技术，就在这样的“危机感”之下加速搭建，就连光学镜头蔡司、ASML本身也推出了相关产品。

在芯片制造层面，电子束硅片直写（EBL）技术，已经被证实可用于先进制程制造，且有望替代EUV光刻技术，同样对光学镜头的牵制，也将起到重要的作用。

根据业内专家莫大康的介绍，目前采用光学镜头的EUV光刻机极限波长为13.5nm，而采用100KeV电子束之后，波长可以缩减到0.004nm，这样一对比起来，就知道优势有多明显了，是有望打破硅基芯片摩尔定律极限的。

蔡司公司是EUV光刻机唯一的光学镜头供应商，多项顶尖且复杂的技术需求，才导致EUV光刻机产量的不足，而电子束采用的是电子刻蚀，并非采用光源，因此是不需要光学镜头的。

因此整体而言，搭载电子束技术的测量设备及检测设备，不仅能够有效的控制成本，还能有效的保证芯片的良品率，同时在精准度上也将大大提升，而详细的内容在《中国电子报》上就可以获取。

根据东方晶源首席技术官俞宗强介绍，传统的电子芯片制造，需要电路图提前进行“掩膜”，然后通过设备光刻成型，若该款电路图出现问题，整个批次就都废了，而电子束则利用的是“点扫描”技术，可以在同一个硅片上刻录不同的芯片，具备有灵活且低成本的优势。

中国能否利用电子束技术反超？

根据检验数据显示，光学检测的波长，一般维持在200nm-400nm之间，换算下来只能检测20nm以上的芯片缺陷，相当于如今的5nm、3nm芯片，基本就算是“盲检”了，这才导致在性能提升上极其有限。

而电子束是可以支持20nm以下容易的，能够精确的捕捉到细小的缺陷，多位业内专家也表态，要想打破摩尔定律极限对性能的影响，后续无论是DUV还是EUV光刻机，都将搭配电子光束设备。

最新的电子光束测量工具，已经被证实可用于10nm及更低的节点的缺陷检测，下一代的技术升级，将能够满足5nm以下的芯片生产需求，但电子束在芯片制造中，同样也存在致命的缺陷，那就是曝光速度太“慢”，这也是没能大规模采用的原因。

速度对比起来，EUV曝光至少是电子束的20倍，因此电子束刻蚀技术，目前只能用于实验室小范围量产，虽然应用材料公司最新发布的设备，在电子束数量上突破了51束，但相比于EUV光刻机还是相差甚远。

因此如果中国半导体想要利用这项技术赶超欧美，还是需要下点苦功夫的，但对于小范围的需求，或许是可以摆脱EUV光刻设备依赖的，就看后续技术的走向如何了。

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