重大突破！日前，国内西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。

第四代半导体是指以氧化镓（Ga2O3)和锑化物等为代表的半导体材料，相比其他半导体材料，第四代半导体材料拥有体积更小，能耗更低，功能更强等优势，可以在苛刻的条件下能够更好地运用在光电器件，电力电子器件中。

蓝晓科技：公司为氧化铝企业提供拜耳母液提镓技术和运营服务，客户使用公司吸附分离技术所提取镓产品通常为4N（纯度99.99%以上，杂质总含量小于100ppm），销售给下游精镓企业。

天准科技：公司的全资德国Muetec子公司产品在第三代半导体及第四代半导体领域有着非常强的竞争力。

新湖中宝：公司于2021年投资了杭州富加镓业有限公司，目前持股比例22.22%。富加镓业专注于宽禁带半导体氧化镓材料的研发，团队的氧化镓晶体材料及器件基础研究成果，多篇科研论文已发表在国际顶级学术期刊上，与全球科研工作者共享最新研究成果，共同推动全球第四代半导体相关行业的发展。

航天电子：公司表示氧化镓Ga203属于第四代半导体材料，氧化镓材料具有比第三代半导体材料更宽的禁带宽度等技术优势，应用前景广阔，子公司时代民芯公司正在该领域开展技术研究和布局。

中兵红箭：公司研发的是金刚石半导体材料，具有超宽带隙特性的第三代半导体材料性能更为优越。其中金刚石集高硬度，超宽带隙，出色的载流子迁移率和优异的导热性能于一身，被科学家们誉为“终极”半导体材料。

光智科技：公司于2021年成功研制出13N超高纯锗单晶，突破了国外长期对超高纯锗的垄断。化合物半导体材料锑化镓（GaSb），锑化铟（InSb），鍗锌镉（CdZnTe）初步产能建设完成，GaSb单晶实现低位错大尺寸产品研发，已给部分客户送样验证，并接到小批量订单。

南大光电：公司是全球主要的MO源供应商，部分产品可以用于制备氧化镓。

阿石创：可根据客户需要为其定制化生产氧化镓及氧化镓混合物类的靶材产品。