近期，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

目前，美光在全球DRAM/NANDFlash市场分别占据25%和12%的份额，在车用存储市场占比超40%份额。

值得注意的是，此前国内存储龙头厂商长江存储和长鑫存储都已经被列入美国的 " 实体清单 "，去年美国的出口管制中还特别提及了存储芯片，对相关 DRAM 存储芯片、NAND 闪存芯片进行管控。

此次美光被安全审查，有望极大利好国产存储芯片公司。

随着下游应用领域的复苏，汽车、电信和基础设施带动需求，叠加人工智能算力的提升和ChatGPT催化智能化应用，存储芯片国产替代有望迎来新一轮机遇。

Yole数据预测，2021-2027年全球存储芯片行业市场规模的复合增长率为8%，并有望在2027年达到2600亿美元以上。

存储芯片行业概览

存储芯片为半导体核心元器件，按性质可划分为RAM（随机存储器，包括DRAM、SRAM、新型RAM等）、ROM（只读存储器）、Flash（闪存，包括NAND Flash、NOR Flash等）。

存储芯片分类及主要市场格局：

储芯片按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。

易失性存储芯片常见的是DRAM，非易失性存储芯片常见的是NAND闪存芯片和NOR闪存芯片。

DRAM和NAND Flash为存储器行业的主流产品。

根据IC Insights的数据，2021年DRAM在整个存储市场的占比约为56%，闪存NAND的占比约为43%，其中NAND闪存为41%，NOR闪存为2%，其他存储芯片（EEPROM、EPROM、ROM、SRAM）将会缓慢成长，但大幅抢占市场的可能性较小。

资料来源：方正证券

01 DRAM

DRAM是动态随机存取存储器，容量高、功耗低、成本低，需要持续充电。主要用于移动终端、服务器等设备内存。

技术路径上看，DRAM最新标准迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。Omdia预计2024年DDR5市占率将提升至43%。

2020-2022年DRAM各供应商技术路线图：

资料来源：闪存市场

市场空间上看，随着人工智能、云计算、大数据、AIoT、物联网等新兴应用加速发展，未来市场对DRAM存储器需求量预计仍将保持增长势头。

从下游供给领域来看，2023年各大存储厂商DRAM供给位元情况，服务器有望首次超过手机DRAM业务成为供给位元的第一大产出，服务器占比38%，手机占比37%。

DRAM产业链结构：

在竞争格局上，DRAM主流市场被三大龙头三星电子、SK海力士和美光科技垄断，形成较高的技术、品牌及市场壁垒。

中国大陆代表企业包括长鑫存储、福建晋华、北京矽成（北京君正全资收购）、紫光国微等。中国台湾厂商南亚科技、华邦电子、晶豪科技等也在该领域崭露头角。

长鑫存储主要从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成12英寸晶圆厂并投产。目前长鑫技术节点集中在19-17nm，技术节点与头部相差两代以上。

2022年10月美国商务部产业安全局禁止满足以下条件的先进制程设备：零部件、元器件、软件技术的出口：用于生产16/14nm以下制程的非平面晶体管结构（即FinFET和GAAFET）逻辑芯片、生产128层或以上NAND以及生产18nm以下制程的DRAM。

限制18nm将影响后续长鑫存储二期18nm以下的扩产计划。

紫光国微存储器芯片业务由参股子公司西安紫光国芯半导体有限公司承担，存储器芯片产品包括DRAM KGD、DRAM芯片、DRAM模组和2D SLC NAND Flash芯片等。

值得注意的是，三星、美光、SK 海力士、西部数据都宣布将于 2023 年大幅度削减资本开支甚至减产。由于资本开支的减少以及产能的削减，全球主要厂商新厂房建设或新产能的扩产普遍有所延后。

三星P3L工厂的建设完毕，预计23Q1开始量产DRAM，未来三星或将在P3L持续扩充产能；美光在中国台湾取得新厂房土地后暂无新的进展；海力士有40-50%的DRAM产能在无锡，这部分产能未来引进EUV转进先进制程的可能性较小；南亚和华邦延后了原本的新厂房建设计划。

DRAM厂商扩产和新建计划延后：

资料来源：集邦咨询

02 NAND Flash

NANDFlash适用于大容量数据的存储（通常在1Gb-1Tb），主要由智能手机、服务器等容量和规格升级推动。

NAND Flash竞争格局上看，三星、铠侠引领，和西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局，六者合计占比超过95%。

中国大陆代表企业主要为长江存储。

长江存储国家存储器基地项目一期于2016年底开工建设，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出目前业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量的128层闪存芯片，2021年长江存储一期项目满产，当前长江存储在武汉晶圆厂产能达10万片晶圆/月，并计划在武汉建设第二座晶圆厂扩产至30万片晶圆/月，有助于进一步扩大市场份额，加速储存芯片国产替代。

展望2023年各大存储厂商NAND产能情况，三星、YMTC将增产，铠侠/WDC、海力士和美光都将减产，同时国内NAND 大厂长江存储受困于美国制裁，也将减产128层以上NAND Flash产品。

而三星激进扩产的原因主要在于NAND芯片竞争对手较多，部分竞争对手如铠侠与WDC的联盟产品组合单一，专注于NAND业务，缺乏DRAM的产品组合来保护营业利润，因此总体抗风险能力略逊于其他同时专注于DRAM和NAND的存储厂商。

NAND Flash各供应商技术路线：

资料来源：TrendForce

03 NOR Flash

NOR Flash是一种非易失性存储器，基本存储单元采用并联形式，可实现片上执行。

广泛应用于需要存储系统程序代码的电子设备，是除DRAM和NAND Flash之外市场规模最大的存储芯片。

竞争格局上看，根据CINNO Research，近年来美国厂商赛普拉斯、美光等逐步退出NOR Flash市场，中国大陆和中国台湾厂商逐步承接产能，占据主导地位。

头部企业为华邦、旺宏、兆易创新等，中国大陆代表企业主要为兆易创新。

整体来看，如前文所述，存储行业的核心看点在于DRAM、NANDFlash和NORFlash。

行业其他企业由于各家处于的发展阶段不同，在以领先企业为目标进行技术赶超的同时，结合自身技术特点和市场需求，专注于成熟产品的细分市场并实现填补和替代效应，与行业领先企业形成差异化竞争，迎来了新的发展机遇。

国产存储芯片布局厂商还包括东芯股份（纯利基型存储，SLC NAND占比高）、普冉股份（利基型NorFlash）、澜起科技（DDR5接口芯片）、聚辰股份、武汉新芯等。

存储芯片企业竞争格局：

未来存储芯片将在云计算、AIoT、智能汽车等下游行业驱动下迎来新一轮成长期。得益于国内电子产业的高速发展及相关公司的技术突破，我国在全球存储芯片领域的市场地位有望提升，国内相关厂商具有较大替代空间。