光刻胶
光刻胶,又称光致抗蚀剂,是微电子领域微细图形加工核心上游材料,电子化学品的高端材料之一。光刻胶品种多样分为紫外全谱(300~450nm、g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)、电子束,在半导体领域应用很广。光刻胶存在极高的技术壁垒和市场壁垒,国产化率极低。半导体领域整体国产化率约为10%,其中,g线、i线、KrF光刻胶约10%,ArF光刻胶全部进口。平板显示领域整体国产化率约10%,其中,触摸屏光刻胶约35%,彩色和黑色光刻胶、TFT光刻胶几乎全部进口。目前低端PCB光刻胶国产替代最快,高端半导体光刻胶处于方兴未艾的阶段,上海新阳KrF厚膜、ArF干法光刻胶研发到达中试阶段,晶瑞股份完成KrF(248nm深紫外)光刻胶中试,南大光电研制的ArF(193nm)光刻胶样品处于客户测试阶段。
电子特种气体
电子气体作为集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、太阳能电池、光纤等电子工业生产中不可缺少的基础和支撑性材料之一,被广泛应用于薄膜、蚀刻、掺杂、气相沉积、扩散等工艺。随着集成电路制造技术的快速发展,芯片尺寸不断增大,工艺不断提高,特征尺寸线宽不断减小,要求IC制程用的各种电子气体纯度、特定技术指标不断提高,对关键杂质的要求更为苛刻。2020年,中国电子气体市场规模约为176.6亿元,进口替代趋势明显,逐步向高端演进,预计未来3年增速超过14%。电子气体以纯度为核心指标,国内企业普遍做到5-6N,林德和法液空等海外领先企业技术可达6-9N。国内以华特气体、金宏气体和七一八所(非上市)为首,华特已具备清洗气、刻蚀气和掺杂气等技术,目前仍在继续扩大产能。
湿电子化学品
湿电子化学品,又称超净高纯试剂,要求超净和高纯,为湿法工艺(包括湿法刻蚀、清洗)制程中使用的各种液体化工材料,主要应用在半导体、平板显示、太阳能光伏领域等微电子、光电子器件制造领域。湿电子化学品存在较高的技术壁垒和市场壁垒。国际上G1到G4级湿电子化学品的技术已趋于成熟,国内企业大都能够达到G2级,少数企业达到G3和G4级。国内企业中,晶瑞股份超高纯净双氧水和超纯氨水已达G5标准,其他产品均达到G3或G4标准,上海新阳市的超纯电镀液及添加剂实现在90-28nm制程上的应用,江微化IPO项目落地后将具备G4/G5级产品生产能力。2019年我国湿电子化学品市场规模约达94.17亿元,同比增长7.15%;2020年我国湿电子化学品市场规模达到100.62亿元左右,同比增长6.85%。
CMP抛光材料
CMP抛光材料是应用于CMP工艺中的抛光材料,而CMP工艺是在半导体工业中使器件在各阶段实现全局平坦化的关键步骤。其原理是在一定压力和抛光液环境下,被抛光工件相对于抛光垫做相对运动,通过抛光液中固体粒子的研磨作用和氧化剂的腐蚀作用,使工件形成平坦光洁的表面。CMP抛光材料市场占半导体材料7%。CMP是实现晶圆表面平坦化的关键工艺,核心材料主要为抛光液和抛光垫。全球抛光液和抛光垫市场被美、日企业垄断,国内抛光垫主要厂商为鼎龙股份,抛光液龙头安集科技国内市场占比22%。