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文|郭哲

编辑|大宇

华为遭遇美当局的制裁让无数国人深感愤怒，与此同时越来越多的声音呼吁我国早日完成微纳米芯片的制造。

这些激烈的呼声给国人一种我们即将要造出尖端芯片的感觉，但真实结果却大失所望。中芯国际和华为等半导体科研企业不断的扩大研发资金。

在经历长达两年的高效研发过程以后，尖端芯片的制造距离我们始终非常遥远。

不可否认的一点是，我们距离西方发达国家半导体技术水平的差距是有的，想要完成尖端芯片的制造绝非一朝一夕的事情。

日前我国中科院对国产自主尖端芯片的问题发表了观点，中科院直言不讳的指出，没有美方的芯片支持。

我们国家的半导体行业就好像进入“黑暗森林”迷了路的人，而这其中有2个痛点抑制发展。

尖端芯片对于一个国家的发展有着非常关键的意义和作用，尤其是在现代化的商业时代，芯片的用度在任何行业领域都无比重要。

就拿我们国家科技水平相对领先的新能源领域来说，新能源造车的过程中，芯片和动力电池都是缺一不可的必备品。

失去了芯片意味着一辆新能源车不够完整，而我国芯片的市场需求更是位居全球第一。

作为全球最大的芯片需求市场，如果我们不具备芯片的制造技术，就必须从美企进口大量的芯片。

期间产生的额外巨额费用是一笔不容小觑的支出。我们辛辛苦苦挣来的血汗钱，最后全都流入那些掌握着尖端技术的企业手里。

而他们只需要凭借手里的技术，就可以躺着赚取我们国家大量的财富，因此尖端芯片的自主研发势在必行。

中美之间的芯片博弈可以追溯到二〇一八年的中兴事件，在当时中兴正是因为对美企的技术依赖无奈败下阵来，直到两年以后华为再次上演了中兴的遭遇。

一次又一次的挫败，也让我们深刻意识到自研尖端芯片究竟有多么重要。

在当时国内为芯片的研发颁布了一系列政策，但半导体企业规模的迅速扩大，始终没能解决我国自研尖端芯片实现突破。

美方对我国半导体的制裁是铁了心的，可以说美方基本已经封住了我们所有可能寻找捷径的路口，留给我们的只能是在现有的技术里寻找突破。

却不能和外界的高端芯片技术有丝毫的联系。

更加让人愤怒的是，日前美当局决定对我国实施下一代芯片刻蚀技术的禁令，这对于我国来说注定要面临新的艰巨考验。

第一个痛点就是芯片刻蚀技术，日前美方决定禁止向我国提供新一代的刻蚀技术，而这也意味着我国如果不尽快解决这一问题。

与世界芯片制造尖端水平的差距将会逐步扩大。此前戈登摩尔在接受采访时说到，晶体管每隔18个月至24个月将会实现一次升级。

一旦我们无法掌握最先进的刻蚀技术，期间晶体管的发展将会产生多次的产品迭代，差距自然也会越来越悬殊。

第二个痛点便是国内半导体行业的基础架构，半导体行业也分为上游和下游，一旦上游出现中断的话，将会直接阻碍下游的发展进程，这个道理想必我们都非常明白。

而我国底层的半导体基础架构实则是非常不成熟的，一旦美方突然掐断了上游，对我们的影响将会是无比严峻的。

多年以来，我国基础架构一直依赖着西方国家的提供，这也是目前我国研发半导体不得不重视的一大“要害”。

不难看出，想要实现半导体行业的突破性发展，绝不仅仅是解决一个单一问题就能实现的，半导体行业的每一项领域都需要我们实现质的跨越。

才有赶超欧美的可能。想要摆脱这种“卡脖子”的境地，我们当前唯一的办法就是寄希望于国内那些优秀的科研尖端人才。

为他们提供优秀的研发环境和待遇，利用庞大的科研人才规模实现逐一的突破。

说到底，尖端芯片的制造绝对没有我们想象的那样简单，也绝对不是我们肯努努力就能实现的目标，但这并不代表困难就无法找到合适的解决方案。

总而言之，我们的半导体之路还有很长一段距离要走，也祝愿这一天能够早日到来，就让我们拭目以待吧。

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