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为什么EUV光刻机难造?华为另辟蹊径,半导体产业链走出至暗时刻

作者:极客讲科技 来源: 头条号 53605/09

科学技术是第一生产力,科技决定国力,科技改变国运。因此,拥有更多高科技技术就可以掌握话语权,决定国家在全球的影响力和地位。当下来看,半导体产业是高新科技的“制高点”,也是国产企业的重要突破口。毕竟西方一直对我们采取限制措施:一方面禁止ASM

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科学技术是第一生产力,科技决定国力,科技改变国运。因此,拥有更多高科技技术就可以掌握话语权,决定国家在全球的影响力和地位。

当下来看,半导体产业是高新科技的“制高点”,也是国产企业的重要突破口。毕竟西方一直对我们采取限制措施:一方面禁止ASML出口EUV光刻机,扼杀华为制造旗舰芯片的能力;另一方面禁止台积电帮助代工海思麒麟芯片,让华为任正非彻底无路可走。

看到这里相信大家都会有一个疑问,那就是「为什么EUV光刻机难造?」ASML高层就曾明确表示:“就算公开设计图纸,也没有一家企业能造出EUV光刻机出来”。

事实上,光刻机原理跟单反类似,最核心的技术就是镜头,将光罩上设计好的集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上,形成图形。

其次,分辨率、套刻精度也是重要技术指标,它们分别决定了光刻机能够被应用的工艺节点水平以及两道光刻工序之间彼此图形的偏差。

正因如此,中科院院士表态:国产光刻机技术至少落后ASML15年,短时间内还无法突破。


当然,即便拥有EUV光刻机,并不意味着能量产高端芯片。这中间牵涉的方面太多了,比如高纯度硅、光刻胶、靶材什么的,还有刻蚀机等设备。

庆幸的是,在光刻机领域遇到瓶颈后,华为开始另辟蹊径,在芯片制造方面下了一番功夫。

根据相关报道:华为目前已经拥有多项芯片3D堆叠方面的技术,并且已经能够将两块14nm芯片通过堆叠来实现7nm芯片的性能了。

当然,目前华为自研的3D堆叠技术还存在部分缺陷,譬如成本、能耗等问题还有待克服,一旦彻底解决后,就能马上投入使用,改变中芯国际等芯片企业无法量产7nm旗舰芯片的现状。

从某种程度上来说,华为推动国产半导体产业链走出了至暗时刻,并为2025年实现芯片自给率70%奠定了坚实基础。

毋庸置疑,中国是全球半导体领域的重要角色。面对西方的技术壁垒,华为、OPPO、vivo等国产企业们正积极推动产业链发展,并且已经投入大量资金以及人才用于科研制造。

可以说,国产半导体芯片的发展前景依旧乐观,而西方遏制我们的想法注定不会实现。

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