三代半导体衬底材料指标参数的对比

图表来源：《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》赵正平，国防工业出版社

半导体衬底材料的发展到今天，已经走过了3个时期。

1）第一阶开始于在20世纪50年代

以硅（Si）为代表的第一代半导体材料做成的二极管、晶体管代替电子管，触发了以集成电路为主的微电子产业飞速发展。

2）第二阶段开始于 20 世纪 90 年代

伴随着半导体工业的发展，硅材料的物理瓶颈问题日益突出，以砷化镓GaAs为代表的第二代半导体硅材料开始异军突起，加上相关器件制备技术的逐步成熟使得半导体材料步入光电子领域；

3）第三阶段也就是最近这几年

第三代半导体材料，以碳化硅SiC 、氮化镓GaN在禁带宽度、击穿电场研。
强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射的关键参数上都有明显的优势，进一步地满足现代工业对高功率、高电压以及高频率的要求。