中国航展上，第三代半导体是中国电科展示的重点内容，从材料、装备、芯片、器件到应用的体系化布局，展现了中国电科不断增强产业链韧性和竞争力。

不断突破，发展“有料”

电科展台上，可以看到碳化硅、砷化镓彻底材料，碳化硅晶片……

目前，碳化硅作为全球最先进的第三代半导体材料，已成为全球半导体产业的争夺前沿和战略制高点。中国电科以发展碳化硅技术为推进第三代半导体的抓手之一，打造国家电子信息材料原创技术策源地，建设了国内最大的碳化硅材料产业基地。目前，中国电科碳化硅衬底技术水平和产能达到国内领先水平，产品市场占有率显著提升，硅外延材料市场占有率稳居国内榜首。

同时，中国电科攻关形成第三代半导体核心装备研发、产业化和整线解决方案，基于自主研发的全自动碳化硅单晶生长设备，实现了高质量碳化硅单晶生产。目前，掌握了碳化硅生长装备制造，高纯碳化硅粉料制备工艺，N型碳化硅单晶衬底和高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。

规模应用，产业“强芯”

展台上，中国电科通过微波功率模块、微波组件等固态微波器件，展示了第三代半导体功率器件在雷达探测及通信领域的国际先进总体水平。

多年来，中国电科瞄准“强芯健体”持续发力，硕果频结。

产品发展，标准先行。中国电科牵头制定多项行业标准，统一氮化镓和碳化硅等第三代半导体材料产品研制及评价体系，提升氮化镓和碳化硅外延片产品自主保障能力。

6英寸碳化硅工艺线持续稳定运行，满足碳化硅二极管、MOSFET订单数量和客户数量快速增长需要。碳化硅MOSFET在新能源汽车、新能源发电、服务器电源、电网输变电等领域实现规模应用，数千万只产品有力保障了产业发展。碳化硅MOSFET入选国资委2021年十大国有企业数字技术成果。

中国电科还构建了成套标准三代半导体氮化镓工艺技术体系，成功研发5G毫米波氮化镓器件系列产品，性能及可靠性达到国际先进水平，氮化镓射频芯片等产品市场占有率显著提升，首次实现国产氮化镓功率器件在星载相控阵大批量应用。氮化镓微波功率器件等产品入选国家“十三五”科技创新成就展。