中国质量新闻网讯（安宇航）近日，意法半导体STMicroelectronics（简称ST公司）官网公告显示，已和三安光电签署协议，双方将在重庆建立一座新的8英寸碳化硅器件合资制造厂，有助于满足中国汽车电气化、工业电力和能源等应用对SiC器件日益增长的市场需求。

图片来源：ST公司官网

据悉，该制造厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面建成。该制造厂将采用ST公司SiC专利制造工艺技术，专注于生产SiC器件。

同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。

此外，该厂全部建设总额预计约达32亿美元（约合228亿人民币）。其中，未来5年的资本支出约为24亿美元（约合171亿人民币），资金来源包括ST公司和三安光电的资金投入、来自重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。

ST公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“对ST来说，与中国本地的合作伙伴成立碳化硅工厂，这将助力我们以高效的方式满足中国客户不断增长的市场需求。将三安光电未来的8英寸衬底制造厂、双方新成立的合资工厂以及ST在深圳现有的后端制造厂相结合，我们有能力为中国客户提供垂直整合的SiC价值链。”

三安光电首席执行官林科闯表示：“三安光电新建的SiC衬底工厂，专门为新成立的合资工厂提供SiC衬底。随着新合资厂的成立和新SiC衬底工厂的产能扩张，我们有信息继续在SiC专业晶圆代工市场占据优势地位。”