据新华社消息，5月23日，日本政府正式出台一项半导体制造设备出口管制措施，将于7月23日起实施。包括光刻、刻蚀、热处理、清洗、检测等6大类23种半导体制造设备（或物项），主要针对高端半导体制造设备，在清单内的受管制物品在向中国大陆、俄罗斯等地区出口时，需要获得日本经济产业省的许可证。5月25日，商务部新闻发言人表示，日方应从维护国际经贸规则及中日经贸合作出发，立即纠正错误做法，避免有关举措阻碍两国半导体行业正常合作和发展，切实维护全球半导体产业链、供应链稳定。中方将保留采取措施的权利，坚决维护自身合法权益。

很多国人都比较关心日方这次的半导体设备材料限制政策对中国大陆影响有多大？我们应该如何应对？

这里，我无法表态或定性发言，就让我们一起通过公开资料和事例来透视一下这个问题，您自己得出结论吧！

半导体制造设备可以形容为是穷尽人类物理知识极限开发的几十种精密加工设备总称。在这个领域，我们国家这么多年来一直是在封锁和限制中艰难发展着，并不是说一片空白，毫无基础。应该看到，半导体加工设备的基本物理原理都是已知的，很多都在其他领域得到过长期应用验证（比如，金属加工领域的真空等离子喷镀工艺和半导体领域的离子注入工艺）。我们国家由于半导体工业起步晚，发展环境一直受发达国家抑制，因此早期半导体制造设备行业举步维艰。进入21世纪以后，随着我国产业水平的进步，政府对高科技投入的重视，截止到目前，我国在太阳能面板、显示器件、光电子器件、新能源、集成电路封装等领域都取得了突破，国产半导体设备已能够掌握主动，不惧技术封锁。

这次日本限制出口我国的设备和物项属于芯片制造领域的前端制程工艺，尤其限制的是14纳米以上先进制程。我国半导体设备行业总体还比较弱小，产品品种不够丰富，直接面对国际垄断巨头竞争，可以说是夹缝中生存，在此情况下，美、日等国不断加强设备技术限制措施，给我国半导体设备行业带来的机遇却远大于挑战。例如盛美半导体董事长王晖就认为“国际政治摩擦，造就了中国半导体设备业迎来黄金期，现在的现象是客户去推着国产半导体设备厂商向前，这也预示着中国半导体设备在未来几年又迎来一个更高速发展的机会。”

现在的中国半导体设备行业，可以说是具备了资金追捧、市场推动、企业家精神、政策鼓励等等一系列有利条件，未来前景光明可期。

那么我们在战略上可以藐视对手的同时，也要在战术上高度重视对手。具体到日本限制的领域，国产设备能否勇挑重担呢？

这是日本出口限制的23类设备清单，包括：

3项清洗设备

11项薄膜沉积设备

1项热处理设备、

4项光刻/曝光设备、

3项刻蚀设备、

1项测试设备

从中我们可以发现，除了光刻设备以外，日本限制最多的是沉积和刻蚀设备。原因是中国在存储芯片领域已经追上国际主流水平，具备了一定国际竞争力，正处于规模迅速扩张阶段，需要进口大量设备，这个时候日本出台限制措施显然是深入研究了中国半导体行业现状，目标之一就是要限制“极高深宽比刻蚀机”和“原子层沉积设备”，从而阻止像长鑫存储、长江存储等中国厂商进一步扩产抢占市场份额。

在芯片制造过程中，光刻——刻蚀——沉积——离子注入是最核心的加工手段。拿当前最主流存储芯片产品——动态随机存储器DRAM和非易失存储器NAND FLASH来说，随着容量不断增大，存储器里的元器件单元越来越小，器件开始主要向3D方向发展，例如长江存储已经向市场推出了232层存储单元的NAND FLASH芯片，层数越来越多，就对沉积工艺提出了很高要求。所谓沉积，就是在一个衬底材料上涂覆一层薄膜材料，元器件层数越多，用到沉积工序就越频繁。现在沉积层数这么高的情况下，用以往的PVD、CVD沉积工艺已经不够了，因为他们沉积的薄膜厚度不均匀，当层数多了以后就会产生很大形变偏差，这时就要用到原子层沉积ALD技术。如下图所示

物理沉积 化学沉积 原子层沉积

大家可以对比红色部分的差别，这里我们不做深入解释，您只要知道原子层沉积技术凭借其独特的表面沉积原理、亚纳米膜厚的精确控制，以及适合复杂三维高深宽比表面沉积等特点，成为先进芯片加工领域的必备神器。

我国在沉积设备领域已经有了不错的基础，像江苏微导纳米技术公司的28纳米节点原子层沉积设备（ALD）据报道已量产。拓荆科技、北方华创等公司的物理化学沉积设备占据了一定市场份额，也都正在开发原子层沉积设备。因此，只要市场推动力足够，稍加时日，我国在沉积设备领域将会摆脱对外依赖局面。

再来谈谈“极高深宽比刻蚀机”。据5月31日消息，北方华创公司已经宣布用于存储器件制造的高深宽比刻蚀机已完成研发，进入工艺测试阶段，各项技术指标已基本满足客户要求。上海中微公司是国际领先的刻蚀机厂商之一，据4月2日消息，该公司已经完成60:1深宽比刻蚀机样机的制造并已推进客户验证，正在研究90:1深宽比技术。国际上最好水平是美国泛林集团的100:1深宽比和东京电子的70:1深宽比产品。

上图中褐色和蓝色部分为高深宽比刻蚀结构示意，在存储器件中，极高深宽比刻蚀是最为关键和困难的工艺挑战

从上面这些公开报道可以看出，国产设备厂商的相关产品已经处于客户验证阶段，快则半年、慢则一年便有结果，大体能够赶上国内存储芯片厂的扩产步伐，实现自主可控。

半导体加工设备有好几十种，受篇幅限制，我只能选择比较关键的两项进行分析。总之，日本这次配合美国要求，对华限制23类半导体设备物项，恐怕只能稍稍减缓中方企业扩产速度，但会让我国芯片制造企业产生强烈的“供应链不可靠危机”意识，从而加大对国内半导体设备厂商的倾斜扶持，假以时日，中国半导体设备厂商将会依靠庞大的国内市场支撑，成为日本相关企业的有力竞争对手。同时应当看到，半导体产业链非常长，如果美、日等国硬要搞脱钩断链，会造成产业分裂，催生不同的产业阵营，不利于半导体行业发展和效率提升。当然，我国企业在科技创新上仍要奋发有为，争取在关键设备、材料领域有自己的“杀手锏”，从而形成科技对抗能力，到那时，对手才真的不敢轻举妄动了。您还有什么看法，欢迎在评论区发表出来共享。