近日半导体行业动态频频，一批半导体项目先后签约、竣工、投产，涵盖了半导体设计、材料、制造、设备等多个领域。

成都高投芯未高端功率半导体项目首台设备搬入

据成都高新发展消息，近日，高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目在成都高新西区举行首台设备搬入仪式。

芯未半导体是高新西区首家面向新能源场景的功率半导体器件和集成组件制造企业，项目投产后，可提供从IGBT芯片背面加工-模块封测代工-集成组件的一条龙代工服务，为包括功率半导体设计企业、制造企业、终端应用企业等提供IGBT特色代工服务。

成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目于去年8月开工，成都工业和信息化当时消息显示，芯未项目总投资约10亿元，分两期建设，建成投产后将为功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务，包括IGBT芯片、模组及方案组建产品等，预计实现年营收9亿元、年税收7000万元。

四川富乐华功率半导体陶瓷基板项目竣工投产

据内江经开区消息，7月10日，四川富乐华功率半导体陶瓷基板项目竣工投产仪式在内江经开区举行。

据悉，该项目由FerroTec（中国）集团旗下子公司江苏富乐华半导体科技股份有限公司投资10亿元新建，占地约120亩，共建设10余万平方米的现代化办公楼、生产厂房和支持系统，引入国内外先进的高温烧结炉、精密氧化炉、真空钎焊炉、真空蚀刻机、超声波扫描仪等生产、分析检测设备约300台/套，建成3条年产1080万片功率半导体陶瓷基板的自动化生产线。

消息称，四川富乐华功率半导体陶瓷基板项目建成投产后，将成为中国内陆规模最大的功率半导体陶瓷基板生产基地，主要向全球功率半导体厂商提供代表全球先进材料和技术的功率半导体模块陶瓷基板产品。

此外，据了解，FerroTec（中国）集团下辖的富乐德公司已连续落户三期项目。去年3月，FerroTec（中国）集团于下辖的江苏富乐华公司与内江经开区成功签约落地“功率半导体陶瓷基板项目”，去年6月30日，该项目正式开工。

罗杰斯高功率半导体陶瓷基板项目签约苏州工业园区

据“广东省电路板行业协会GPCA”公众号消息，近日，罗杰斯curamik高功率半导体陶瓷基板项目正式落地苏州工业园区。

公开消息显示，该项目规划总投资1亿美元，首期投资3000万美元，计划明年建成投用，项目投产后，罗杰斯苏州将成为罗杰斯美国总部之外，全球唯一拥有集团全部产品研发制造的基地。

据悉，本次投资将更大地满足EV/HEV和可再生能源应用中日益增长的金属化陶瓷基板的需求，有助于缩短行业交付周期。

针对车规级应用设计，舆芯半导体芯片项目签约上海

近日，在上海举行的世界人工智能大会“引领未来，赋能焕新”浦东论坛上，舆芯半导体入选浦东新区第一批人工智能重点项目，并与张江高科成功签约。

据悉，舆芯半导体的芯片项目针对车规级应用设计，包括入门级车规AI MCU、主流车规AI MCU和高端运动控制处理器。这些芯片不仅具备高集成度、低功耗和灵活性，还融入了先进的人工智能技术。舆芯半导体官方信息显示，其将利用最领先的车规MCU工艺平台，为客户提供创新解决方案，广泛应用于动力、底盘、引擎发动机、电动机等汽车场景，满足电动化和智能化需求。

公开消息显示，近日，舆芯半导体获近亿元天使轮融资。当时消息显示，该轮融资资金将主要用于车规级芯片领域的前沿技术开发、产品技术升级以及高端人才储备等用途。

强华股份集成电路核心装备关键新材料生产基地在临港产业区开工

据上海临港产业区消息显示，近日，上海强华实业股份有限公司“集成电路核心装备新材料生产基地项目”开工仪式举行。

据悉，强华股份临港项目坐落于临港产业区，由上海强华实业股份有限公司投资兴建，中国电子系统工程第三建设有限公司承建。项目占地32亩，主要用于生产8英寸-12英寸高纯、高精度石英器件及其它相关硅基器件。该项目今年3月成功拿地，今年7月便实现了开工建设。

公开资料显示，上海强华实业股份有限公司是一家拥有20多年石英加工经验，主要从事高纯、高精度石英材料制品研发、生产及销售的民营高新企业。强华股份是临港新片区集成电路材料环节的重点企业。2022年4月，强华正式加入临港新片区，成功填补了新片区石英材料的空白领域。

投资120亿元，富乐德半导体产业项目开工

近日，位于浙江丽水经开区的富乐德半导体产业项目开工。

丽水经济技术开发区消息显示，该项目总投资约120亿元，总用地约400亩，主要建设12英寸抛光片项目和传感器、功率器件等半导体项目，2023年度计划投资10亿元。首期建成后将形成年产360万片300mm半导体抛光片的生产能力，产品具有代替进口产品等特点，预计可实现年产值22亿元。

丽水经开区相关负责人表示，争取项目首期在2024年底前实现投产。

据了解，富乐徳半导体产业项目于今年2月签约落户浙江丽水，3月份首期用地成功摘牌。当时消息显示，首期项目计划今年开工，并在一年内实现竣工投运。

总投资22亿元的能斯特内江产业园开工

据“最内江”公众号消息，近日，内江市举行2023年第三季度重大项目现场推进活动。

其中，投资约22亿元的能斯特（内江）产业园正式开工。该项目位于内江高新区，总占地约90亩，总建筑面积约7.9万平方米，主要建设高温陶瓷芯片、PT200高温传感器、氧传感器、氨传感器、氢传感器及氮氧传感器总成研发生产基地，建成后，中期预计年均产值达35亿元。

福赛尔科技集团高级副总裁、能斯特科技公司执行董事李亚卓表示，将充分发挥新材料技术和行业优势，借助内江市产业发展平台，积极打造具有核心竞争力的高新材料产业集群，助力内江加快建设成渝发展主轴工业强市。

中核纪元之光碳化硅材料生产项目将投产

据“安塞宣传”公众号消息，中核纪元之光碳化硅材料生产项目目前已完成基础工程和厂房主体建设，正在进行装饰装修和设备进场前的准备工作，预计今年10月底项目正式投产使用。

据此前报道，中核纪元之光碳化硅材料生产项目是由中核汇能陕西（能源）有限公司投资建设，属省级新材料产业链重点项目，项目总投资6亿元。将新建年产50000片碳化硅衬底生产线，包括碳化硅粉料、高纯半绝缘碳化硅单晶衬底、N型碳化硅碳单晶衬底以及碳化硅莫桑石材料，配套建设综合楼及附属生活区。

中核纪元之光碳化硅材料生产项目经理贺亚伟称，该项目是一个科技含量高、技术先进、能耗污染小的高科技产业项目，建成后将成为延安地区芯片切割、封装、电子科技发展的关键性高新技术企业，为带动高科技企业入驻延安起到引领示范作用。产品主要用于第三代半导体芯片衬底，在军工、航空航天、新能源汽车等领域具有广阔的市场前景。

衢州先导110亿元项目开工，聚焦集成电路关键材料等领域

近日，浙江省委、省政府举行2023年“千项万亿”重大项目集中开工仪式，位于衢州的衢州先导集成电路关键材料与高端化合物半导体及器件模组项目参加此次省集中开工。

据消息，项目位于衢州智造新城高新片区及智造新城东港片区，总用地面积约1038亩。一期总投资约90亿元，建设用地约838亩；二期投资约20亿元，建设用地约200亩。新建特气车间、甲类仓库、原辅料仓库、研发楼等，引进国内外先进设备。

建设工期2023-2026年，建成后形成年产MO源2200余吨、电子特气150吨、光通器件41.5万片、接入网器件7200万个、光纤陀螺9.6万套、数据中心480万套、砷化镓衬底300万片、磷化铟衬底30万片、氮化衬底及其外延片、芯片项目6万片生产能力，预计年新增产值约240亿元。

瀚天天成开始量产8英寸SiC外延晶片，已签订2.19亿美元长约

近期，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司（以下简称“瀚天天成”）宣布完成了具有自主知识产权的8英寸碳化硅外延工艺的技术开发，瀚天天成正式具备了国产8英寸碳化硅外延晶片量产能力。

据悉，瀚天天成上周完成了多项长期合约（LTA）的签订，包括价值超过1.92亿美元的8英寸长约。公司所生产的8英寸碳化硅外延晶片的质量达到国际先进水平，即厚度不均匀性小于3%，浓度不均匀性小于6%，2mm*2mm管芯良率达到98%以上。该技术突破标志着我国已经掌握商业化的8英寸碳化硅外延生长技术，进一步推进了碳化硅外延材料的国产化进程，极大地提升了我国在碳化硅外延领域的国际地位。

据瀚天天成公司董事长赵建辉博士介绍，在半导体领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的最佳途径。以2mm*2mm尺寸的管芯为例，通过完全同样的工序，一片8英寸碳化硅外延晶片的芯片（器件）产出量是6英寸晶片产出量的1.8倍，是4英寸晶片产出量的4.3倍。由此可见，8英寸碳化硅外延晶片产品的推出将能够有效降低器件生产的成本，对推动碳化硅半导体产业的发展具有深远的意义。

公开资料显示，瀚天天成成立于2011年3月，是一家集研发、生产、销售碳化硅外延晶片的中美合资高新技术企业，已形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半导体外延晶片生产线，并满足600V、1200V、1700V器件制作的需求。

绍兴560亿滨海新区电子信息基地项目开工

据“绍兴发布”介绍，近日，在绍兴市举行的197个重点项目开竣工活动中，绍兴560亿滨海新区电子信息基地项目正式上马。

消息显示，该项目规划未来5至10年内预计完成投资560亿元。项目分阶段建设，先期计划投资180亿元，形成12英寸晶圆9万片/月的产能规模，预计达产后年产值90亿元以上。

项目整体实施后，将与已有的集成电路晶圆制造项目构建集8英寸和12英寸整合全流程的芯片和模组代工服务平台，形成“千亩千亿”产业规模，打造世界级模拟类芯片技术研发和大规模生产基地，为我国集成电路产业制造端实现自主可控和关键战略性产品供应链安全提供有力保障。

易卜半导体首条先进封装生产线通线

7月7日，易卜半导体首条先进封装生产线如期正式通线。此次通线意味着，易卜半导体具备了先进封装的量产能力，并为公司的Chiplet等一系列先进封装自主专利技术提供了样品开发和量产验证能力。易卜半导体表示，公司将持续加大设计和研发投入，加快客户导入和量产爬坡。

资料显示，易卜半导体成立于2020年，是一家专注于半导体先进封装设计、材料、工艺和制造的高新企业。公司具有自主研发的晶圆级扇出型封装、chiplet和3D芯片等先进封装的技术，拥有独立知识产权，到目前为止已申请国内外发明专利90项，其中17项已经授权，已初步形成在先进封装上知识产权的战略布局。

目前，易卜半导体已经在上海宝山建成研发和生产基地，相关设备陆续进入安装调试。据悉，易卜年产72万片12吋先进封装产线项目一期建成约10000平方米的洁净厂房和研发实验大楼，装备全自动12英寸先进封装生产和研发设备。计划于2025年形成年产72万片12英寸先进封装的生产能力，成功实现多项自主研发的先进封装产品的规模量产。据悉该公司与中科院微系统所建立战略合作关系，在厂内同时建设硅光先进封装研发线，产研协同，形成从研发到量产的先进封装技术通路。

润优新材料42亿元高纯石英制品及半导体硅基新材料项目开工

据武义发布消息显示，近日，浙江省“千项万亿”重大项目集中开工仪式举行。位于金华市武义县的浙江润优新材料科技有限公司年产4万吨高纯石英制品及半导体硅基新材料项目参与了此次集中开工活动。

据悉，浙江润优新材料年产4万吨高纯石英制品及半导体硅基新材料项目总投资42亿元，

总用地294亩，总建筑面积31.6万平方米，购置等离子打砣机、焊接机、坩埚熔制炉等先进设备，采用先进生产工艺生产高纯石英制品及半导体硅基新材料。

资料显示，该项目建设单位为浙江润优新材料科技有限公司，建设工期为2023-2026年，2023年计划投资4亿元。项目建成后将形成年产4万吨高纯石英制品及半导体硅基新材料生产能力。

氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约

据西电广州第三代半导体创新中心消息显示，近日，在广东-新加坡合作理事会第十三次会议上，西安电子科技大学广州研究院与新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（以下简称“ICCT”）合作共建的“氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心”项目成功签约。

据悉，该项目由广州第三代半导体创新中心团队与新加坡ICCT展开合作，围绕第三代半导体射频器件、电力电子器件等产业需求，以大幅提升QFN、陶瓷封装、金属封装等封装技术研发能力为目标，聚力开发满足产业前沿需求的先进封装技术，推进国内领先性能的第三代半导体射频器件、电力电子器件及其模块的研制进程，力争快速实现产品工程化。

官方资料显示，IC Carrier Technologies Pte Ltd （简称“ICCT”）由Yew Chee Kiang(杨志强)博士于2013年成立于新加坡，是一家致力于提供半导体封装材料和封装技术服务的企业。

敏芯股份拟定增募资1.5亿元 加码车用/工业级传感器等项目

7月6日晚间，敏芯股份发布公告，公司拟定增募资不超过1.5亿元，用于年产车用及工业级传感器600万只生产研发项目、微差压传感器研发生产项目。

具体来看，敏芯股份年产车用及工业级传感器600万只生产研发项目总投资1.36亿元，拟投入募资5000万元。该项目将购置先进的软硬件设备，建设现代化、智能化的车用及工业级传感器生产线。

微差压传感器研发生产项目拟投入募资1亿元。该项目将购置先进的软硬件设备，开展微差压传感器研发及产业化工作，充分整合公司多年积累的MEMS（微机电系统）传感器技术优势和品牌优势，以微差压传感器为技术核心，持续开发面向家用电器、医疗设备、汽车系统、仪器仪表、新风系统等应用领域的微差压传感器产品，助力公司产品在下游应用领域的拓展。

总投6亿，润邦科技二期半导体光刻胶项目正式奠基

据长风汇信公众号消息，近日，润邦半导体材料科技有限公司二期半导体光刻胶项目奠基仪式举行。

据悉，润邦一期项目的建设起步于2020年9月，坐落在张家港保税区泛半导体产业园。经过3年的发展，已成长为具有独立研发和生产组织能力的半导体核心材料高科技企业，与国内龙头企业形成了广泛的业务合作，并在业内获得了一定的知名度，目前已实现LOCA、ODF等显示胶水和半导体光刻产品TARC的量产能力。

其二期为半导体光刻胶项目，规划总投资6亿元，建成后将具备i-line、KrF、ArF光刻胶及包括BARC、TARC、FIRM等辅助材料、部分上游单体的研发和生产能力。

公开资料显示，润邦科技致力于显示模组胶、半导体光刻制程核心材料的研发与产业化，该公司拥有三大业务板块电子——显示结构胶、胶带类胶水、半导体胶水。

江城伟业半导体成套设备配套总部基地项目签约

据鄂州政府网消息，近日，江城伟业半导体成套设备配套总部基地项目在葛店经开区正式签约。

消息显示，该项目总投资为5亿元，注册资本500万元，建设周期为1年。项目主要建成集生产、研发半导体生产线通风相关成套设备的总部基地，建设综合办公楼、研发中心、十条生产车间以及仓库。项目建成达产后，可实现年产值约3亿元。

西安奕斯伟技术创新中心项目

据西安高新区官微消息，日前，西安奕斯伟技术创新中心暨西安高新区重点项目集中竣工投产仪式举办，总投资约633亿元的69个项目顺利竣工投产，涵盖集成电路、新能源汽车、电子信息、精密制造等领域，并呈现出突出产业赋能、突出服务提升、突出民生保障三大特点。其中，西安奕斯伟技术创新中心项目和先导院南区项目值得关注。

西安奕斯伟技术创新中心项目是奕斯伟集团集成电路芯片与方案业务在西北地区研发、生产和创新应用的总部基地，功能涵盖芯片产品研发与测试中心、软件开发与测试中心、工艺开发与测试中心、应用创新中心、若干专业实验室和数据中心等，主要产品包括RISC-V CPU IP、智慧连接芯片、多媒体SoC芯片等。

先导院南区项目是西安高新区与中科院西安光机所院地深度融合发展重要项目，总投资5亿元，以先进激光与光子制造、光子材料与芯片、光子传感为重点产业方向，形成“硬科技”产业集群和创业生态，打造光电子产业核心引擎和光电子产业高能级创新驱动平台。被评为省级创新驱动发展工程、市级秦创原立体联动孵化器示范平台和“科创高新”重点项目。

凯普林建高功率激光器智能制造基地

近期，北京凯普林光电科技股份有限公司（以下简称“凯普林”）与天津港保税区签署协议，增加投资约2.5亿元，建设高功率激光器智能制造基地项目。

天津港保税区天津空港经济区消息显示，该项目将引入高精度自动芯片封装设备、全自动耦合等先进自动化设备，建设自动化、智能化产线，利用信息化技术全面提升光纤及半导体激光器产品、组件的智能制造能力，预计达产后年产能可达7万台。目前该项目处于开工筹备阶段，预计2024年投产。

2020年，凯普林投资3亿元，在天津港保税区建设2万平方米高功率光纤耦合半导体激光器自动化生产基地。2021年10月，凯普林高功率光纤耦合半导体激光器自动化生产基地投产。