光刻胶是材料领域最受外资限制的环节之一，被称为电子化学品中的“皇冠”。

近年来我国光刻胶产业链初步打造完成，上下游逐渐打通，下游需求扩大，拉动光刻胶市场规模增长。

据中商情报网数据显示，2022年我国光刻胶市场规模为98.6亿元，同比增长5.68%。#光刻胶##半导体##芯片#

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光刻胶行业概览

光刻胶是晶圆制造重要材料，又名光致抗蚀剂，是一种感光材料，是在通过紫外光、电子束、离子束、X射线等照射或辐射后，其溶解度会发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。

在光的照射下发生溶解度的变化，可以通过曝光、显影及刻蚀等一系列步骤将掩膜板上的图形转移到基片上。光刻胶是电子产品细微加工技术的关键性电子产品，被广泛应用于半导体、液晶显示（LCD）、印刷电路板（PCB）等领域。

光刻胶具有光化学敏感性，经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩模版转移到待加工基片。

光刻胶按显示的效果，可分为正性光刻胶和负性光刻胶。

如果显影时未曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相反，称为负性光刻胶。负性光刻胶中聚合物的短链分子因光照而交联成为长链分子，曝光部分会因此硬化留在基底上，未曝光的光刻胶被清除。

如果显影时曝光部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相同，称为正性光刻胶，正性光刻胶在特定光线照射下会发生反应并变成溶剂，曝光部分的光刻胶可以被清除。

由于负性光刻胶显影时易变形和膨胀，分辨率通常只能达到2微米，因此正性光刻胶的应用更为普及。

资料来源：三星

根据应用领域，光刻胶可分为半导体光刻胶、LCD光刻胶和PCB光刻胶。

国内层面可以看到，PCB光刻胶占比最高，而半导体光刻胶占比最低，表明自给率仍较低。

光刻工艺是半导体制造的核心工艺，半导体光刻制程通常遵循八步基本工艺，包括衬底的准备、半导体光刻胶涂覆、软烘焙、曝光、曝光后烘培、显影、硬烘焙和显影检测。

摩尔定律趋近极 限，半导体制造制程进步使得所对应光刻加工特征尺寸（CD）不断缩小，配套 光刻胶也逐渐由 G 线(436nm)→I 线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→ F2(157nm)方向转移，从而满足半导体制造更高集成度要求。

全球 8 寸/12 寸晶圆厂扩产将带动 KrF、ArF 光刻 胶需求。

根据 SEMI 数据， 2026 年全球 300 mm（12 寸）晶圆厂产能有望提 高至 960 万片/月；全球半导体制造商预计将从 2021 年到 2025 年将 200mm 晶圆厂产能提高 20%，新增 13 条 200mm 生产线，产能有望超 700 万片/月。

未来 KrF、ArF 光刻胶将成为国内外厂商主要竞争市场。

根据 TECHCET 数据， 2025 年，KrF/ArF 光刻胶市场规模分别为 9.07/10.72 亿美元。

光刻胶产业链

行行查 | 行业研究数据库 资料显示，光刻胶产业链可以分为上游原材料，中游制造和下游应用三个环节。

上游包括感光树脂、单体、光引发剂及添加助剂等原材料，中游包括PCB 光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶的制备，下游是各种光刻胶的应用。

典型的光刻胶的原料包括溶剂、光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、成膜树脂、单体和其他助剂等。其中溶剂含量占比通常为50-90%，光引发剂占1-6%，成膜树脂占10-40%，单体及助剂占比小于1%。

树脂是光刻胶最核心的部分，是光刻胶的骨架。光敏材料是光刻胶成分中的光敏感化合物，是光刻胶的重要组成部分。溶剂主要用于将光刻胶的各组分分散其中，使光刻胶具备良好的流动性。

光刻胶成分：

资料来源：华东理工大学

我国光刻胶上游原材料树脂技术尚停留在G线/I线水平，是光刻胶全产业链最薄弱环节，我国高端材料“卡脖子”问题迫在眉睫，光刻胶国产化处于加速进程中。

G线/I线光刻胶（436/365nm）自给率较高，北京科华、苏州瑞红为国内主要供应商。

KrF/ArF光 刻 胶（248/193nm)几乎全部进口，国内北京科华248nm通过中芯国际认证，其他处于研发阶段。

除了原材料，光刻胶生产还需要光刻机进行配套测试，受到下游需求刺激，全球光刻机市场规模快速增长。

下游主要围绕光刻胶在不同领域的应用，主要包括PCB、平板显示屏、半导体、微电子机械系统四个领域。

我国光刻胶下游半导体工业设计已进入全球第一梯队，需要更加先进的ArF及EUV光刻胶，满足下游市场与技术匹配这一成功要素。

由于光刻胶本身就是一种配方型的经验学科，又高度影响光刻环节的精度和良率，因此在光刻胶产业链的三个环节都存在较高壁垒。

光刻胶产业链：

光刻胶市场格局

从半导体产业转移历程及光刻胶发展史可以看出，半导体及光刻胶均起源于美国，但日本厂商在KrF光刻胶商业化后迅速占领市场，开启霸主时代。

目前上游光刻胶产业依然保留在日本，日本仍以70%以上的市占率垄断着全球高端光刻胶市场，主要龙头厂商包括日本的东京应化、日本JSR、住友化学。

2021年东京应化市场份额为27%，位居全球第一；氏化学占比17%，位居全球第二；JSR、住友化学、韩国东进、富士胶片分别占比为13%、12%、11%、8%，行业前六共占据88%的市场份额。

从ArF光刻胶来看，主要被日美企业所占据，且市场集中度更高，JSR、信越化学、东京应化、住友化学、富士胶片、陶氏化学分别占据24%、23%、20%、15%、8%、4%的市场份额，行业CR6为94%。

KrF光刻胶市场中，东京应化、信越化学、JSR和杜邦占据了85%的市场份额。

在EUV光刻胶方面，具备专利布局的前十大企业中，日本公司占有七席，日本在EUV光刻胶领域具备十分明显的技术优势。

国内外光刻胶产业链技术水平对比：

资料来源：《我国半导体光刻胶行业发展现状及对石化产业建议》

近年来，国内企业也持续发力，逐步增强企业在光刻胶领域的技术研发和市场竞争力。

当前，我国半导体领域用于6英寸晶圆的集成电路制造的g线、i线光刻胶基本可以实现自给，而更为高端的KrF、ArF光刻胶高度依赖进口，国内半导体光刻胶企业份额仅占约5%，存在巨大的国产替代空间。

国内光刻胶供应厂商主要有彤程新材、晶瑞电材、雅克科技、南大光电等，预计随着KrF、ArF光刻胶的研发和验证完成后，国产光刻胶将进入国产替代的高峰期。

随着半导体线路图形越来越小、半导体产业向中国转移及光刻工艺对光刻胶的需求提升，预计光刻胶市场规模将快速增长。

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