（报告出品方：平安证券）

一、 半导体存储：数字经济的底盘，集成电路第二大市场

1.1 历经半个世纪发展演进，半导体存储成为主流技术

在 5G、AIOT、云计算等新兴战略产业的快速发展带动下，信息数据呈现爆发式增长，数据规模从原来的 GB、TB、PB 上 升到 EB、ZB 级，存储器作为信息数据的存储媒介，在国家大力发展数字经济的背景下，其重要性不言而喻，半导体存储作 为当前主流存储技术，在经历了半个世纪的发展后，形成了以 DRAM 和 NAND 为主的产品构成格局。 1966 年 IBM 发明的 DRAM 标志着半导体存储时代的开启，在行业发展的早期，市场主要以 DRAM 产品为主，当时单颗芯 片容量仅为 1Kb，现在已扩容至 16GB 以上，DRAM 存储技术已发展超过半个世纪，技术创新主要以制程推进为主。另一 方面，1980 年代初入市场的 NAND Flash 只有 4Mb 容量，发展至今单芯片可达 1.33Tb，Flash 存储技术已发展 40 余年， 由 2D NAND 向 3D NAND 技术路径演进。

半导体存储也称为存储芯片，根据数据存储原理的不同，半导体存储器可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。 RAM 是与 CPU 直接交换数据的内部存储器，可随时进行数据读写且速度较快，断电后保存数据会丢失，是易失性存储器， 通常用作操作系统或者其他运行中程序的临时数据存储介质；ROM 是一种只能读取事先所存数据的存储器，断电后也能保 存数据，是非易失性存储器，常用于存储各种固定程序和数据。

RAM 可进一步细分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）。相较于 DRAM，SRAM 读写速度非 常快，但价格较高，通常用作计算机中的高速缓冲存储器，即 CPU、GPU 中内部 L1/L2 缓存或外部 L2 高速缓存，容 量只有几十 Kb 至几十 Mb。DRAM 常用于计算机中的主存储器，由于结构简单成本相对较低，且容量可达 16GB，作 为系统内存具有很高的性价比优势。

ROM 根据内容写入方式可分为 PROM、EPROM、OTPROM、EEPROM 和 Flash 等。Flash 又称闪存，是现阶段主 流存储器，拥有电子可擦除可编程的特点，在断电的环境下也能保证数据的保存完整性，成本低且密度大，广泛应用 于嵌入式系统中。Flash 又可进一步划分为 NAND Flash 和 NOR Flash，NAND Flash 是市场主流 Flash 存储产品，写 入和擦除的速度快，存储容量大，是高数据存储密度的理想解决方案；相较于 NAND Flash，NOR Flash 可以直接在 Flash 闪存内运行应用程序，容量较小，读取速度快，主要应用于功能手机、TWS 等小容量代码存储。

半导体存储产业链与逻辑芯片行业略有不同。由于半导体存储的布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密，半导体存储头部 晶圆厂主要采用 IDM 模式经营，同时，半导体存储器的核心功能在于数据存储，所有信息数据均保存在存储晶圆中，存储 晶圆标准化程度高，在晶圆完成制造后，后续仍需大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体产品的转化。

1.2 存储市场空间广阔，海外厂商高度垄断

半导体存储是集成电路产业占比第二大的核心细分行业。存储芯片作为现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一，在 5G、 云计算以及 AI 等新兴产业快速发展背景下，其重要程度与日俱增，具备广阔的市场空间，根据 WSTS 数据，2022 年全球 集成电路市场总规模约为 4799.9 亿美元，其中，存储芯片市场规模约为 1344.1 亿美元，占比 28%位居第二，仅次于逻辑 芯片。

DRAM 和 NAND Flash 共同主导半导体存储市场。根据Yole 数据，以市场规模作为统计口径，2022 年全球半导体存储市 场中 DRAM 占比达 56%，NAND Flash 占比达 41%，是整个存储市场中最重要的两个细分品类，NOR Flash 则以 2%的市 场占比位居第三位。同时，根据 TrendForce 统计数据，2022 年全球 DRAM 市场规模达 801 亿美元，同比-16%，预计 2023 年将同比下降 40%至 482 亿美元；NAND Flash 方面，2022 年全球市场规模达 600 亿美元，同比-12%，预计 2023 年将同 比下降 23%至 464 亿美元。

手机、服务器和 PC是存储出货的主要驱动力。DRAM 方面，在 5G、云计算、AI 的带动下，服务器 DRAM 占比逐年提高， 预计将于 2023 年反超手机成为 DRAM 第一大应用终端。与此同时，主要应用在服务器端的 eSSD 对存储的需求也同样呈 现持续增长趋势，预计 2023 年将成为 NAND Flash 市场仅次于手机的第二大需求终端。

海外厂商高度垄断，竞争格局趋于稳定。在经历了一系列并购整合之后，当前全球半导体存储市场形成以三星为代表的韩国 厂商为主，欧美地区厂商为辅的整体竞争格局。其中，DRAM 市场集中度更高，主要被三星、SK 海力士以及美光三家海外 厂商所垄断，CR3 高达 95%；NAND Flash 方面，三星依旧处于领先位置，铠侠、西部数据、SK 海力士和美光四者的市场 份额相差不大，CR5 达 90%。

存储内需庞大但自给率低，国产厂商正逐步崛起。近些年，在国家产业政策以及国家大基金的资本扶持下，以长江存储、长 鑫存储、兆易创新等为代表的国产存储厂商逐步崛起，实现了从 0 到 1 的突破。其中，长江存储重点在 NAND Flash 领域发 力，于 2017 年成功研制出国内第一颗 3D NAND 闪存芯片，并在 2020 年成功研发 128 层 3D NAND 闪存产品；长鑫存储 则重点攻克 DRAM，于 2019 年实现 8Gb DDR4 投产，目前已在合肥、北京完成 12 英寸晶圆厂建厂并投产；2022 年兆易 创新在 NOR Flash 市场市占率已排至全球第三、中国大陆第一。

1.3 供需情况持续改善，存储周期有望见底

存储与集成电路整体周期呈现强关联关系。存储芯片具备大宗商品特性，其价格受市场供需情况波动，且存储属于标准化产 品，产品可替代性强，加上当前整个存储行业已形成垄断格局，头部厂商在产能和定价方面调整步调相对一致，因此存储行 业弹性更大，在 2017 年半导体上行周期中，存储芯片同比增速突破 60%，大幅领先其他细分领域，而 2019 年半导体周期 向下时，存储芯片同比跌幅同样明显大于其他细分领域。

存储芯片周期性强于其他半导体细分行业，且往往遵循 3-4年一个周期循环，回顾近十年，存储芯片主要经历了三轮周期。 1）第一轮周期（2012-2015 年）：此轮的周期上行主要受智能手机需求爆发所影响，当时手机行业处于功能机向智能机转 换阶段，智能机的渗透加速带动了手机整体的出货增长，同时也带动了存储芯片需求的提升；而此轮的周期下行主要因为各 大头部厂商的新增产能逐步落地，市场供大于求导致价格下跌。 2）第二轮周期（2016-2019 年）：此轮周期上行一方面由于头部厂商将产能转移至 3D NAND，导致 DRAM 供应不足出现 提价，另一方面，安卓手机厂商为提升产品竞争力逐步提升内存和存储空间；后由于 PC、服务器等下游需求疲软，市场整 体再次呈现供过于求的情形，存储芯片再次步入下行周期。 3）第三轮周期（2020年-至今）：本轮存储周期始于 2020 年，在疫情背景下，居家活动时长的增加带动了PC 和服务器的 需求提升，相应促进了存储需求的增长，并在 2021 年到达本轮周期的顶峰，后续由于地缘政治冲突、疫情持续反复以及部 分下游需求疲软，导致存储芯片价格开始下行。结合存储芯片周期性规律，考虑到当前头部厂商已经开始进行产能控制以及 资本支出调整，市场供需平衡迎来改善，加上 AI 和汽车领域带来的市场增量需求，我们预计本轮存储周期有望于 23H2 期 间触底。

由于存储行业的竞争格局集中度高，因此头部厂商的业绩变化与整个行业周期同样存在较强的关联性。受存储行业周期下行 影响，各大存储芯片厂商的业绩均受到较大冲击，三星、海力士和美光在净利润端均录得不同程度的亏损。从美光 FY23Q3 财报来看，截至 23 年 6 月 1 日尽管美光依旧亏损 19 亿美元，但是较上一季度亏损有所收窄，营业利润率也出现改善迹象， 其 FY23Q4 业绩指引预计公司业绩将逐步修复；另外，在 AI 服务器需求高增长情况下，FY23Q2 海力士营收环比+44%，其毛利率和营业利润率均出现环比改善趋势。整体来看，各大存储芯片厂商正通过减产、优化组织结构等一系列手段来缓解 业绩压力，我们认为当前存储行业下行周期已接近尾声，供应端的边际改善有望率先成为当前修复行业景气的关键因素。

当前存储处于下行周期，头部厂商纷纷缩减资本开支。由于存储产品具备标准化程度高、同类产品可替代性强等特征，因此 产能提升成为各大厂商抢占市场份额的重要手段，存储厂商的资本支出占总营收约 30%-50%，属于重资产行业。从存储龙 头的历史资本开支情况来看，在行业上行时期头部厂商往往会加大资本开支来提升产能，待新增产能落地后又会出现供过于 求的情形，导致存储价格下探并进入下行周期，头部厂商则通过缩减资本开支以及产能等手段来改善市场供需情况。为了应 对当前存储行业的下行周期，头部厂商纷纷缩减 2023 年资本开支，除三星未出现明显下调之外，海力士和美光均大幅缩减 DRAM 和 NAND Flash 的资本开支，缩减幅度在30%-50%之间。

头部存储厂商的库存水位对判断存储周期变化具有重要意义。从存货同比增速来看，海力士和美光在 22H2 已经见顶，在采 取积极减产措施后，两家头部企业的存货增速开始下探。另外，在美光 23Q3 业绩说明会上，公司表示减产措施对公司的库存去化带来了积极影响，其客户端的库存水位正在逐步改善，PC 和智能手机领域大多数客户的库存已接近正常水平，数据 中心的客户库存也在持续去化，有望在年底恢复至健康水平。

存储厂商陆续减产，均价跌幅逐步收窄。自 22Q2 开始存储产品价格一路下探，甚至部分存储产品在 23H1 已跌破现金成本 价，为了应对行业周期下行，头部存储供应商陆续开启产能管控，一贯不减产的三星也加入到控产队列，加上下半年季节性 需求支撑，存储产业链供需情况逐步改善，尽管供应商全年库存仍未恢复至健康水平，但整体来看 DRAM 和 NAND Flash 产品均价跌幅已呈现逐渐收敛态势，根据 TrendForce 数据，预计 2023 年第三季度 DRAM 均价跌幅将环比收缩至 0-5%区 间，而 NAND Flash 均价跌幅环比收缩至 3-8%区间。

二、 DRAM 和 NAND 主导市场，NOR Flash 聚焦利基领域

2.1 DRAM：技术演进以制程推进为主，头部厂商向 10nm 制程逼近

DRAM 作为 RAM 核心产品，通常用作 CPU 处理数据的临时存储装置，主要应用于智能手机、PC、服务器等领域，随着现 代电子信息系统的存储数据规模呈现指数级增长，DRAM 器件的主流存储容量不断扩大，其市场规模也在不断提升，根据 Yole 数据，以市场规模作为统计口径，2022 年 DRAM 产品在全球存储芯片市场中占比达56%。

按照产品分类 DRAM 可以细分为 DDR、LPDDR、GDDR、HBM 等。

DDR（Double Data Rate SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器）主要应用于 PC 和服务器上，当前已经发展至第 五代，每一代的升级主要体现在工作电压越来越低、芯片容量越来越大、传输速率也越来越快。DDR5 于 2020 年上市， 相较于 DDR4，DDR5 传输速度提升约 2 倍，同时耗电量降低约 20%，当前价格较高成为制约 DDR5 发展的主要因素， 随着产品单价和产能逐步达到市场要求，加上各大厂商的积极推动，DDR5 渗透率将进一步提升。

LPDDR（Low Power DDR，低功耗双信道同步动态随机存取内存）以低功耗和小体积著称，主要应用于移动式电子 产品。为了满足智能手机等移动式电子产品在功耗和体积方面的需求，在 DDR 的基础上诞生了 LPDDR，当前 LPDDR 发展到 LPDDR5X，相较上一代标准，LPDDR5X性能提升同样非常显著，拥有更快的速率、更高的带宽和更低的延迟。

GDDR（Graphics DDR，绘图用双信道同步动态随机存取内存）专门为高端显示应用所打造，具备高带宽、高延时特 点，主要适配于类似显示图像这种需要大数据传输而对时延不敏感的场合，当前 GDDR 已发展至 GDDR6X。

HBM（High Bandwidth Memory，高宽带内存）是 3D DRAM 的主要代表产品，采用硅通孔（TSV）技术将多个 DRAM 芯片进行堆叠，并与 GPU 一同进行封装，形成大容量、高位宽的 DDR 组合阵列，从而克服单一封装内的带宽限制。

当前 DRAM 技术演进路径以制程推进为主，最新的 1α节点仍处于 10+nm 阶段。DRAM 技术演进的本质主要为通过缩小制 程来提高存储密度，对于 DRAM 芯片来说，晶体管尺寸越来越小意味着芯片上集成的晶体管就越多，也就代表单片芯片存 储容量就越大。三星、SK 海力士、美光在 2016-2017 年期间便进入了 1x（16nm-19nm）阶段，2018-2019 年达到 1y （14nm-16nm）阶段，2020 年为 1z（12nm-14nm）阶段。各家行业龙头继续朝着 10nm 制程逼近，其中，2022 年三星公 布将于 2023 年进入 1β 工艺阶段，而美光开始向其客户运送 1β DRAM 产品样品，率先进入 1β 节点。国内方面，长鑫存储 作为国产 DRAM 龙头，2019 年实现 8Gb DDR4 产品投产。

随着 DRAM 技术制程向 10nm 演进，EUV 光刻技术成为未来生产 DRAM 的必要选择。现阶段 DRAM 使用最成熟的仍是 193nm 的 DUV 光刻技术，而 EUV 光刻机使用 13.5nm 波长，可以光刻出更加精准的图案，在 14nm 制程后，由于 DUV 需要使用多重曝光技术才能形成更细线宽的电路，采用 EUV 的经济效益将会更加突出，与此同时，使用 EUV 可以减少 4-5 道 工序，能够进一步降低生产成本。三星和 SK 海力士分别在 2020 年和 2021 年就导入了 EUV 技术，而美光则继续使用改良 DUV 技术来生产 DRAM，预计于 2024 年采用 EUV。 尽管 EUV 能够克服当下难题，受限于物理极限和结构技术瓶颈，3D-DRAM 概念应运而生。NAND 闪存率先实现三维技术 的突破，堆叠层数已突破 200 层，而当前 3D DRAM 技术仍处于探索当中，3D DRAM 主要通过将存储单元堆叠至逻辑单元 上方来实现存储容量增加，其中 HBM 便是3D DRAM 最具代表性的产品。

2.2 NAND FLASH：3D NAND 成主流发展趋势，堆叠层数突破 200 层

NAND Flash 属于非易失性存储设备，基于浮栅晶体管设计，即使断电存储的数据也不会丢失，NAND Flash 作为当前低成 本和大密度数据存储的主要存储解决方案，广泛应用于智能手机、服务器、PC 等电子终端市场，根据 Yole数据，以市场规 模作为统计口径，2022 年 NAND 闪存产品在全球存储芯片市场中占比达 41%。

根据存储方式的不同，NAND Flash 又可分为SLC、MLC、TLC 和 QLC，对应存储单元分别可存放 1、2、3 和 4bit 的数据， 存储密度越大，其寿命越短且速度越慢，但容量越大成本越低。以SLC 和 QLC 为例，SLC 相对于其他类型 NAND 闪存颗 粒单位容量成本更高，但其数据保存时间更长、读取速度更快，反之，QLC 拥有较高的存储密度且更低的成本，但是其寿 命短、读取速度慢，目前 NAND Flash 主要以TLC 为主。

3D NAND 为 NAND 技术的主流发展趋势。在早期，NAND 闪存主要以 2D 平面形式存在，其扩展容量的原理主要通过在一 个平面上将多个存储单元进行拼接，存储单元的数量越多，存储容量就越大，随着存储芯片厂商将 2D NAND 的单元尺寸从 120nm 微缩至 14nm 时，2D 结构在容量扩展方面的局限性开始显现，其可靠性会随着制程微缩进一步下降。为了克服 2D NAND 技术的自身缺陷，2007 年东芝（现在的铠侠）提出了 3D NAND 结构的技术理念，3D NAND 主要通过在垂直堆栈中 将多组存储单元进行相互层叠，以实现存储容量增加的目的，堆叠层数越高则意味着容量就越高。

2014 年三星率先推出业界首个 3D V-NAND 产品，经历了近十年的发展后，垂直方向堆叠 3D NAND 层数成为各大 NAND 厂商竞争的主要方向。其中，2022 年美光实现 232 层 NAND 闪存产品的出货，三星也宣布开始量产 236 层 3D NAND 闪存 芯片，铠侠和西部数据预计将于 2023 年推出 218 层 3D NAND 闪存，SK 海力士则在 2023年展示了其最新 300 层 3D NAND 产品原型，预计将在 2024-2025 年期间上市。国内方面，长江存储在 NAND 领域取得不断突破，持续缩短与海外巨头的差 距，在 2020 年成功研发 128 层 3D NAND 闪存产品。

为了在 3D NAND 的基础上进一步提高存储容量，SK 海力士推出了 4D NAND 技术，4D NAND 技术主要通过在 3D NAND 中利用单元下外围（PUC）技术，在单元下方形成外围电路，减少外围电路所占面积，从而实现容量的增加和成本的降低， 2022 年，SK 海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238 层 4D NAND 闪存。

2.3 NOR FLASH：汽车、工业需求持续增长，国产厂商处于领先位置

虽然 NOR 和 NAND 都同属于Flash产品，但是相较于 NAND Flash，NOR Flash 具有随机访问、可靠性强、读取时间快和 可执行代码的优势，因此 NOR Flash 在电子设备上常用于存储以及运行代码程序，而 NAND Flash 则是存储大容量数据的 理想选择。NOR Flash 分为串行和并行，串行结构简单且成本相对更低，随着工艺的发展演进，串行 NOR 闪存逐步成为主 要系统方案商的首选。 由于终端电子产品存在内部指令执行和系统数据交换等功能的需要，以及汽车电子、5G 基站等部分下游对硬件可靠性要求 较高，NOR Flash 芯片是必不可少的重要元器件，根据 IC Insights 数据，尽管 2021 年 NOR Flash 在全球存储芯片市场占 比仅约 2%，但得益于汽车、工业领域的需求增长，其销售额实现同比增长 63%至 29 亿美元。 诸如三星、美光等全球闪存巨头为了维持产品高毛利水平以及开拓更广阔的市场，逐渐将产品重心聚焦于 NAND Flash 领域， 因此国产 NOR Flash 芯片厂商迎来发展良机，2021 年中国台湾华邦和旺宏分别以 35%和 33%的市占率占据全球第一、二 位，国产 NOR 巨头兆易创新则以 23%市场份额位列全球第三位。

1988 年，英特尔推出第一款商用 NOR Flash 产品，制程为 1.5μm，随后在 2005 年英特尔推出 65nm 产品，近些年受汽车、 工业以及可穿戴设备等下游需求增长的带动，NOR Flash 需求逐步增长。NOR Flash 对先进节点要求不高，主流产品一般 采用 55nm 和 65nm，当前最前沿的制程达到45nm，再进一步微缩将面临巨大成本困难。 3D 堆叠技术是存储行业应对晶体管密度提升与先进制程微缩高成本之间矛盾的首选方案，与 NAND Flash 相似，头部 NOR 厂商开始将主要精力和资源投入到 3D NOR Flash 的发展，但由于市场体量较小，3D NOR Flash 仍然处于起步阶段，其中， 旺宏计划在 2025 年左右推出 3D NOR Flash，预计采用45nm 制程工艺。

三、 手机为存储需求最大来源，服务器成存储位元增速主驱

3.1 服务器：存储位元增速主要驱动力，AI 浪潮带动出货量提升

2023 年全球服务器出货量有望增加至 1882 万台。受益于大型云端数据中心的需求增加，加上供应链情况逐步改善，根据 DIGITIMES 数据，2022 年全球服务器出货量同比增加 6%至 1805 万台，在 AI 服务器的带动下，预计 2023 年延续增长态 势，将同比增加 4%至 1882 万台。

服务器单机存储容量伴随服务器硬件升级而同步提升。当前服务器市场由英特尔平台为主导，其新一代服务器平台Sapphire Rapids 支持 PCIe 5.0、CXL 1.1（Compute Express link）和八通道 DDR5，在存储业务场景下，相较上一代平台每秒 I/O 速度提升 1.7 倍，时延降低 45%，服务器的硬件性能升级将带动 DRAM 和 NAND Flash 在单机搭载量和产品规格方面的整 体提升。 ChatGPT 的面世引爆了 AI 热潮，将进一步催生存储硬件需求。GPT-3 采用了大规模预训练模型，因此需要大量的数据对 模型进行训练和调优，其预训练数据量达 45Tb，参数量达 1750 亿个，GPT 每一代的更新迭代在训练数据量方面都有明显 提升，尤其是 GPT-4 作为多模态模型，将使用图像、视频等多媒体数据进行训练，训练数据量将远超于 GPT3，因此将进 一步催生对数据存储的需求。

AI 服务器的存储需求量是传统服务器数倍。在AI 大浪潮时代下，诸如百度“文心一言”、阿里“通义千问”和华为“盘古大模型” 等大模型平台纷纷推出，将带动AI 服务器需求增长，根据 TrendForce 统计数据，2022 年全球搭载 GPGPU 的AI 服务器出 货量占整体服务器比重达 1%，预计 2023 年出货量将同比增加 8%，2022-2026 年 CAGR 为 10.8%。同时，根据美光测算， AI 服务器的 DRAM 需求量是常规服务器的8 倍，NAND 需求量是常规服务器 3 倍。 随着 AI、云计算、大数据等新兴技术的快速发展，以及未来服务器硬件性能的升级需求，服务器存储的需求量整体呈现上升 态势，尤其是当前 AI 技术的快速兴起，进一步带动高性能存储需求，诸如 HBM 和 DDR5 等内存技术将迎来渗透加速。

3.2 手机：行业进入存量替换阶段，单机存储需求仍有提升空间

智能手机处于存量替换阶段，需求低迷出货量承压。根据 Counterpoint 统计数据，23Q1 全球智能手机出货量达 2.8 亿部， 同比-14%，环比-7%，主要受库存调整、经济下行导致需求低迷所影响。另一方面，尽管 2022 年全球智能手机出货量同比 下降 12%，但高端智能手机（售价600 美元以上）实现逆势增长，同比+1%。

智能手机存储方案主要经历了 NAND MCP—eMCP—uMCP 的发展。随着 5G 手机的渗透率不断提升，AI、4K 视频录制、 多任务处理等需求也在相应增加，对手机存储的容量和性能提出了更高的要求，当前 LPDDR5+UFS3.1 的组合已逐步成为 市场旗舰手机的标配。

手机配置持续升级，带动存储需求位元增加。近些年，随着产品创新持续缩窄，配置堆料成为智能手机的主要更新迭代方式， 除了 CPU 的持续升级，摄像功能成为各大厂商重点发力点，软硬件升级方式层出不穷，单个照片/影片内存占比不断增加， 手机单机搭载容量也在相应不断增加。以 iPhone 为例，2007 年发布的初代 iPhone 采用了 128Mb 的 LPDDR，最大存储容 量达 16Gb，而最新的 iPhone 14 Pro Max 采用的 LPDDR5 容量已达 6Gb，存储容量最大可支持 1Tb。

3.3 PC：需求持续走弱，出货量不断下探

需求持续走弱，出货量不断下探。早前PC 在疫情期间受居家活动时长增加影响，出现过阶段性需求增长，但由于库存调整 导致需求回升不及预期，根据 IDC 数据，23Q1 全球 PC 出货量达 5690 万台，同比-29%，考虑到市场对 Chromebook 和 Windows 11 的更新换机需求，预计 2024 年 PC 市场前景有望改善。

PC 存储需求增量主要来自单机搭载量提升。根据 Yole 数据，2020 年 PC 平均单机搭载 DRAM 容量在 10Gb 左右，2026 年将增加至 18Gb，2020-2026 年 CAGR 为 10%；2020 年平均单机搭载 NAND Flash容量为 450Gb，预计 2026 年将超过 1000Gb，2020-2026 年 CAGR 为 15%。

四、重点公司分析

4.1 三星电子：全球最大存储芯片供应商，市场份额长年稳居首位

三星电子作为全球领先的电子企业，业务涵盖消费电子、IT和移动通信、设备解决方案等，尤其是在 DRAM 和 NAND Flash 半导体存储领域，三星电子长期稳居全球第一的位置，据 TrendForce 数据，2022 年三星在 DRAM 和 NAND 市场全球市占 率分别达 43%和 33%，是全球存储芯片行业最核心的供应商。 三星电子成立于 1969 年，于 1984 年开发了 256Kb DRAM，1992 年成功研发出世界首个 64Mb DRAM，1999 年开发出首 款 1Gb NAND 闪存，2013 年成功开发 3D V-NAND 技术，2018 年量产 LPDDR5 DRAM，当前三星的 10nm 级工艺和极紫 外光刻（EUV）技术已经开发出了大容量 512GB DDR5 内存模块，同时，其第 8 代 V-NAND 内存层数已达 236 层，公司 存储技术处于全球领先位置。

在整个存储芯片发展历程中，三星电子通过多次逆向投资实现市场份额不断提升。早在 20 世纪 80 年代，在 DRAM 市场低 迷、价格迅速下跌时，英特尔 DRAM 业务亏损严重退出市场，日本企业也大幅缩减资本开支，而三星通过采用逆向投资， 不断扩大产能，促使其在 20 世纪 90 年代一举成为全球第一大存储芯片供应商；随后在 1993 年全球半导体市场开始转弱时， 三星继续采取逆周期投资策略投资建设 8 英寸 DRAM 产线；2008 年，金融危机爆发导致 DRAM 价格崩盘，三星再次进行 逆周期投资，大幅扩张存储芯片业务，行业亏损也因此进一步加剧，导致后续几年奇梦达和尔必达都相继宣布破产，三星的 龙头地位得到持续夯实。

4.2 SK 海力士：全球知名存储龙头，AI 存储领域先行者

SK 海力士为全球领先的存储龙头企业，公司致力于生产 DRAM、NAND Flash 和 CIS 非存储器为主的半导体产品，在韩国、 中国无锡和重庆共设有四个生产基地，2022 年 SK 海力士以 28%市占率在全球 DRAM 市场排名第二，以 13%市场份额在 全球 NAND Flash 市场排名第四。 1984 年 SK 海力士首次成功试产 16Kb SRAM，1999 年收购 LG半导体，2004 年成功研发 NAND Flash 产品，2013 年首 次研发全球首款 TSV 技术 HBM，2019 年成为业界首次成功研发出 128 层 4D NAND 的企业，现阶段，SK 海力士成功开发 出全球首款 12层堆叠的 HBM3 DRAM 新产品，其 DDR5 采用了 EUV 光刻的 1αnm 技术，NAND 方面，2022 年公司成功 研发 238 层 4D NAND 闪存，2023 年展示了其最新 300 层 3D NAND 产品原型，预计将在 2024-2025 年期间上市。

FY23Q2 营收环比大增，短期净利润承压。SK 海力士发布 2023 财年第二季度财报，FY23Q2 公司实现营收 7.31 万亿韩元， 同比-47%，环比+44%，营业利润亏损 2.88 万亿韩元，净利润亏损 2.99 万亿韩元。分产品来看，DRAM 收入占比达 62%， 位元增长率环比+30%，ASP 实现环比个位数增长；NAND 收入占比达 30%，位元环比增长 50%，ASP 环比下降 10%。

4.3 美光科技：全球最大存储芯片供应商之一，研发技术优势市场突出

美光科技于 1978 年在美国创立，作为全球最大的半导体存储及影像产品制造商之一，其主营业务包括 DRAM、NAND 闪存、 NOR 闪存、CMOS 图像传感器等，2022 年美光科技在全球 DRAM 市场以 25%市占率排名第三，在全球 NAND 市场以 12% 市占率排名第五。 美光于 1979 年便完成了 64K DRAM 的设计，并于 1981 年推出首款 64K DRAM 产品，1984 年推出世界上最小的 256K DRAM，2021 年美光推出业界首个 1α 节点 DRAM，2022 年公司开始向其客户运送其 1β 节点 DRAM 产品样品，率先进入 1β 阶段，其 EUV 技术预计将于 2024 年使用。NAND 方面，公司于 2020 年 11 月便实现全球首款 176 层 3D NAND 量产， 2022 年实现 232 层 NAND 产品出货。

FY23Q3 单季营收高于指引中值，毛利率环比改善。FY23Q3 单季度美光科技实现营收 37.5 亿美元，同比-57%，环比+1.6%， 尽管公司依旧亏损 19 亿美元，但亏损幅度进一步收窄，公司 GAAP 毛利率为-17.8%，Non-GAAP 毛利率为-16%，均高于 Q2 原指引区间。拆分业务板块来看，FY23Q3 公司 DRAM 业务实现营收 27 亿美元，同比-57%，环比-2%，位元出货量环 比+10%，ASP 环比-10%；NAND 业务实现营收 10 亿美元，同比-56%，环比+14%，位元出货量环比+30%，ASP 环比下 降 15%。展望 FY23Q4，公司预计营收将同比下滑 44%-38%至 37-41 亿美元，GAAP 毛利率将环比改善至-15%至-10%区 间，对应 Non-GAAP 毛利率为-13%至-8%。

国家网信办对美光科技开展网络安全审查。2023 年 3 月，国家网信办发布消息，为保障关键信息基础设施供应链安全，防 范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，对美光科技在华销售的产品实施网络安全审查。经审查发现，美光科技 的产品存在较严重网络安全隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，按照相关规定，国内关键信息基础设 施运营者应停止采购美光科技的产品。本次审查事件将影响美光公司在中国市场的销售，由于美国科技限制等原因，美光中 国市场收入占总收入比例由 2018 年的 58%下降至 2022 年的 11%。我们认为，此次审查事件彰显出国家对半导体安全可控 以及信创工程的高度重视，将进一步推动国产存储器产业链发展。

4.4 兆易创新：全球 NOR Flash 龙头，利基型 DRAM 拓展有序

兆易创新成立于 2005 年 4 月，总部设于北京，公司主营业务分为存储器、微控制器和传感器三大板块，据 公司官网显示，公司在存储领域公司是全球排名第一的无晶圆厂 Flash 供应商，在 NOR Flash 市场占有率全球第三、中国 大陆第一，累计出货量近 212 亿颗。

NOR Flash 全球领先，DRAM、NAND Flash 拓展有序。公司 NOR Flash 技术和市场处于全球领先位置，512Kb-2Gb 全 容量覆盖市场不同需求，2022 年工业和汽车领域稳步提升，车规产品收入同比增加 80%，车规产品累计出货量达 1 亿颗， 消费市场以中高端客户为主；在 NAND Flash 方面，38nm 和 24nm 两种制程产品实现全面量产，容量覆盖 1-8Gb，相关产 品已通过车规级认证；DRAM 方面，公司积极切入DRAM 利基市场，并已量产 1X节点 DDR4、DDR3L 产品。

多重因素导致业绩阶段性承压，研发投入持续增加巩固领先地位。受全球经济下行、地缘政治冲突等多重因素影响，2022 年公司实现营收 81 亿元，同比减少 4.5%，其中，存储芯片业务实现营收 48 亿，占营收比例达 59%，归母净利润 21 亿元， 同比减少 12%，尽管公司业绩短期承压，但其持续加大研发投入，2022 年公司研发费用达 9 亿元，同比增加 11%，研发费 用率达 12%，公司技术人员占比约72%。

4.5 北京君正：国内车载存储龙头，持续加强新品开拓

北京君正成立于 2005 年，主营产品包括微处理器芯片、智能视频芯片、存储芯片、模拟与互联芯片，2020 年公司完成对 ISSI 及其子公司 Lumissil 的并购成功切入车载存储市场，根据 Omdia 统计，2022 年度公司SRAM、DRAM、 NOR Flash 产品收入在全球市场中分别位居第二位、第七位、第六位，处于国际市场前列。 车规产品开始放量，消费产品逐步落地。存储领域，公司 SRAM 产品品类丰富，从传统的 Synch SRAM、Asynch SRAM 产品到行业前沿的高速 QDR SRAM 产品均拥有自主研发的知识产权；DRAM 方面，公司产品主要针对具有较高技术壁垒的 专业级应用领域，产品容量覆盖 16Mb-16Gb 多种规格，2022 年公司 8Gb LPDDR4 已开始送样，新规格的 2G LPDDR2、 4G LPDDR4 等产品实现量产；Flash 方面，公司已覆盖 NOR Flash 和 NAND Flash 主流领域，2022 年公司车规 Flash 产 品增长迅速，并持续向客户提供各种容量的 NOR Flash 送样，消费类市场的 NOR Flash 产品也逐渐开始落地。

经营业绩短期承压，存储业务成长可期。2022 年公司实现营收 54 亿元，同比增加 3%，其中存储业务收入 41 亿元，同比 增加 13%，占营收比重达 75%，归母净利润 7.9 亿元，同比下降 15%，主要受固定资产和无形资产折旧摊销以及 22Q4 单 季度计提存货减值准备所影响。

4.6 澜起科技：内存接口芯片龙头，研发取得实质性突破

澜起科技成立于 2004 年，是国际领先的数据处理及互连芯片设计公司，致力于为云计算和人工智能领域提 供高性能、低功耗的芯片解决方案，目前公司拥有互连类芯片和津逮®服务器平台两大产品线。公司是全球可提供从 DDR2 到 DDR5 内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一，据公司 22 年年报，公司是全球可提供 DDR4 内存接口芯片 的三家核心厂商之一，同时也是 DDR5 系列内存模组可提供完整的内存接口及模组配套芯片解决方案的全球两家公司之一。

研发取得实质性突破，多款新品业界首发。公司在多项产品的研发上取得重大进展，在业内首发多款产品。其中 2022 年 5 月公司发布全球首款 CXL 内存扩展控制器芯片（MXC），并在业界率先试产 DDR5 第二子代 RCD 芯片，2022 年 9 月发布 业界首款 DDR5 第一子代时钟驱动器（CKD）工程样片，2022 年 12 月在业界率先推出 DDR5 第三子代 RCD 芯片的工程 样片。同时，公司在 PCIe SerDes IP 研发上取得重大进展，相关 IP 已应用在公司PCIe 5.0/CXL 2.0 Retimer 产品中。 经营业绩逆市增加，研发投入持续加大。2022 年公司实现营收 37 亿元，同比增加 43%，主要因为 DDR5 内存接口及模组 配套芯片的出货量实现大幅增长，归母净利润 13 亿元，同比增加 57%。同时，公司持续加大在关键技术领域的研发投入， 2022 年研发费用为 6 亿元，同比增加 52%，研发费用率为 15%，研发技术人员占人数比例为 73%。

4.7 江波龙：国内存储模组龙头，产品矩阵持续扩充

江波龙成立于 1999 年，主要从事 Flash 及 DRAM 存储器的研发、设计和销售，拥有嵌入式存储、移动存储、 固态硬盘及内存条 4条产品线，公司已经形成了以Foresee 品牌为载体的面向工业市场的产品矩阵及以 Lexar（雷克沙）品 牌为载体的面向消费者市场的产品矩阵。据 CFM 数据，公司 2021 年 eMMC＆UFS 市占率为 6.5%，位列全球第六，国内 第一。据 Omdia 数据，2021 年 Lexar 存储卡/闪存盘在全球市场分别位列第二/第三。

分产品来看：（1）嵌入式存储：公司嵌入式存储包括 eMMC、UFS、ePOP、eMCP、SLC NAND 和 LPDDR 等。2022 年， 公司的 UFS 2.2 和 UFS 3.1 产品已经开始量产，车规级 eMMC、UFS 已符合汽车电子行业核心标准体系AEC-Q100，同时， 公司在中国大陆率先推出了自研的 512Mb SLC NAND Flash 小容量存储芯片；（2）固态硬盘：公司 SSD 产品覆盖 SATA 和 PCIe 两大主流接口，应用于笔记本、台式机、一体机、视频监控、网络终端等领域，2022 年公司发布了企业级 SSD， 分别支持PCIe 4.0 和 SATA 3.2；（3）移动存储：公司旗下国际高端消费类存储品牌 Lexar（雷克沙）专注专业影像存储、 移动存储、个人系统存储等领域，广泛满足全球消费者的存储需求，推出多款旗舰产品，包括 2Tb CF Express 金卡、1Tb Micro SD PLAY 卡、CF Express 钻石卡以及指纹识别闪存盘等；（4）内存条：公司内存条产品线覆盖 DDR4 及 DDR5 系列规格， 产品容量包含 4GB 到 64GB，2022 年公司发布了企业级 DDR4 内存条产品，目前已通过部分客户的合格供应商认证，并逐 步实现规模化量产，同时也正在有序导入 DDR5 的 RDIMM 产品。 2022 年存储芯片行业整体承压，公司业绩与行业发展趋势基本吻合。2022 年公司实现营收 83 亿元，同比下降 15%，其中， 嵌入式存储业务同比下降 9%至 44 亿元，移动存储同比下降 8%至 20 亿元，固态硬盘同比下降 28%至 15 亿元，内存条降 幅最大，同比下降 36%至 4 亿元。2022 年公司实现归母净利润 0.7 亿元，同比下降 93%。

4.8 深科技：国内存储芯片封装龙头，封测产能逐步攀升

深科技成立于 1985 年，总部位于深圳，主营业务分为存储半导体业务、高端制造、计量智能终端，公司在 高端存储芯片（DRAM、NAND FLASH）封装和测试领域拥有丰富的经验和技术储备，具备多种类型产品的封装方案设计 和分析能力，持续引进先进的封装和测试设备，掌握行业领先的隐形切割研磨技术，能提供各类客制化的测试程序开发和芯 片特性分析服务。 在存储半导体业务，公司主要从事高端存储芯片的封装与测试，产品包括 DRAM、NAND FLASH 以及嵌入式存储芯片，覆 盖 DDR3、DDR4、DDR5、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5 和 eMCP4 等具体产品。公司采用深圳、合肥半导体封测双基 地的运营模式，其中，2022 年合肥沛顿存储已具备不同类型存储芯片(DRAM、LPDDR4、LPDDR5、eSSD、eMMC)的 8 层堆叠产品量产能力，已通过 ISO9001/14001/45001 等多项体系认证，并通过重点客户 wBGA 以及 LPDDR 产品的封装量 产认证和主要客户的终端用户审核。 2015 年深科技通过收购金士顿在境内全资子公司沛顿科技，成功切入半导体封测领域。2022 年公司实现营收 161 亿元，同 比下降 2%，其中，存储半导体业务实现营收 26.5 亿元，同比-8%，占总营收比例达 16%，业务毛利率为 15.4%。2022 年 公司实现归母净利润 6.6 亿元，同比下降 15%。

4.9 聚辰股份：全球领先 EEPROM 供应商，SPD、EEPROM 产品持续放量

聚辰股份成立于 2009 年上海，公司目前拥有 EEPROM、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条主要产品线, 产品广泛应用于智能手机、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电、汽车电子、工业控制等众多 领域。根据 web-feet 统计，2019 年聚辰 EEPROM 产品的市场份额为国内首位、全球排名第三位。 公司 EEPROM 产品线包括 I2C、SPI 和 Microwire 等标准接口系列的 EEPROM 产品，以及主要应用于计算机和服务器内存 条的 SPD 产品。2022 年，公司通过自主研发的高能效电荷泵设计技术，推出全球首款 1.2V EEPROM CSP 产品，率先通 过高通平台的测试认证，并成功导入多个终端项目实现量产，在车载领域，公司已拥有 A1 及以下等级的全系列汽车级 EEPROM 产品。同时，公司与澜起科技合作开发新一代 DDR5 内存条SPD 产品，其 SPD 产品在 2022 年实现大批量供货。 业绩高速增长，SPD、EEPROM 持续放量。2022 年公司实现营收 10 亿元，同比增加 80%，主要受益于 DDR 内存模组换 代升级，公司 SPD 产品以及应用于汽车电子和工业控制的 EEPROM 产品实现销量快速增长，其中，公司 EEPROM 产品 实现营收 9 亿元，同比+49%，产品毛利率由 2021 年的 40%提升至 2022 年的 71%。2022 年公司归母净利润达 4 亿元，同 比+227%。研发投入方面，2022 年公司研发费用达 1.3 亿元，同比+80%，占营收比例为 15%。

4.10 东芯股份：国内 SLC NAND 龙头，切入车载打开成长空间

东芯股份成立于 2014 年，总部位于上海，公司主要聚焦于中小容量 NAND/NOR/DRAM 芯片的研发、设计 和销售，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司设计研发的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。 公司 NAND Flash 已具备 2xnm 制程的量产能力，其中公司 SLC NAND Flash产品具备品类丰富、功耗低以及可靠性高等 特点，部分产品已通过 AEC-Q100 的验证，凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领 域，并且通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。另外，公司 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb-1Gb，支持多种数据传输模式，已经完成了从 65nm 至 48nm 的制程推进，目前 512Mb、1Gb大容量 NOR Flash 产 品都已有样品可提供给客户。DRAM 方面，公司可实现 25nm 制程的量产，自主设计研发的 LPDDR4X 及 PSRAM 产品均 已完成工程样片并已通过客户验证。 2022 年公司实现营收 11 亿元，同比增长 1%，其中，NAND 产品收入 7 亿元（同比+7%），MCP 产品收入 2 亿元（同比 +26%），DRAM 产品收入 0.8 亿元（同比+3%），NOR 产品收入 0.7 亿元（同比-62%）。2022 年公司实现归母净利润 2 亿元，同比下降 29%。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

精选报告来源：【未来智库】。「链接」