荷兰半导体出口管制，在9月1日就正式生效了。荷兰的ASML是全球光刻机的龙头，对我国主要是高端光刻机出口管制。根据之前的消息，NXT:2000i以上高端机型，我们是买不到了，但是，1980及以下型号浸没式光刻机，我们还是能够正常买到的。

高端的光刻机，比如EUV，能够生产7nm、5nm的制程芯片，低端的光刻机是没法生产的。但是，我国很多行业都需要用到高端的芯片，所以国内的光刻机一直有国产替代的需求。但是，高端光刻机的研发，是没那么快的。除了研发高端的光刻机之外，还有一个相对更容易的路径，也能够提升芯片制程，那就是——多重曝光。

之前就有很多关于多重曝光的讨论，不过A股市场上，一直没炒作起来。但是，最近华为的消息，非常振奋人心。华为近期发布了Mate 60 Pro，经过多方的确认，华为Mate 60 Pro，用的是麒麟9000s芯片，中芯国际代工的N+2技术，采用ASML浸润式DUV 1980Di (光刻机)，多重曝光，生成的7nm工艺。换句话说，之前多重曝光一直是理论上探讨，但是，现在华为的动作表明，这项技术我们已经实现了。那么对于国内芯片产业来说，芯片制程突破到了7nm，实现了国产替代，情绪上振奋人心，也利好芯片产业链。

再说回多重曝光技术，目前主流的多重曝光技术分为LELE、LFLE或SADP。用的是荷兰ASML浸润式DUV 1980Di 光刻机，LELE、LFLE技术是将一层电路拆分成几层进行光刻，SADP则是通过控制沉积和刻蚀过程中的厚度和形貌，实现更高的精度。这个方法，能够实现7nm的芯片制程。但是同时也会产生一定的影响。

第一个就是会增加光刻胶的用量。如下图，通过四次曝光方式，完成一次图形转移，曝光次数明显增多，光刻胶使用量就大幅增加。因此，光刻胶相关品种值得关注，包括容大感光、南大光电等。

下图是我国光刻胶行业国产化以及进口替代情况，当下炒作的主要是半导体光刻胶这个细分。

另外，多重曝光技术，通常需要反复进行涂胶—光刻—显影—刻蚀等工艺流程，因此光刻多重曝光技术的发展，大大增加了浸没式DUV光刻机、涂胶显影机、刻蚀机、薄膜沉积等设备的潜在需求。A股市场上，半导体设备相关品种同样值得关注。比如显影液的格林达、盛剑环境；刻蚀机的中微公司、北方华创；薄膜沉积设备的微导纳米等。

另外，无论是哪种技术路径，多重曝光都会导致良率显著降低，因此，对于检测设备的需求同样会大幅提升。检测设备相关品种：广立微、长川科技等。

注意：再好的逻辑，也得结合大环境、涨跌趋势等因素来选择介入跟退出的时机。以上内容仅是基于行业以及公司基本面的静态分析，非动态买卖指导。以上观点仅供参考，据此建议风险自担，股市有风险，入市需谨慎。

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