金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司取得一项名为“一种半导体器件及制造方法“，授权公告号CN111834462B，申请日期为2019年2月。专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制造方法，该器件通过沟槽栅结构，沟槽底部沟道设置，纵向场板、纵向P‑N结构的双纵向RESURF技术，减少元胞漂移区尺寸，增加漂移区浓度，减少漂移区电阻，缩小元胞尺寸。该器件可以基于传统的分离槽栅MOS工艺或者单片集成BCD工艺技术实现，制造工艺简单，制造成本低。如此，本申请可以基于传统低成本制造技术，实现具有低导通电阻，高可靠性的双向耐压的MOS型开关器件。此外，本申请还公开了一种终端设备。本文源自金融界
华为公司取得半导体器件及制造方法专利，实现具有低导通电阻，高可靠性的双向耐压的MOS型开关器件
作者：金融界 来源： 头条号 
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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司取得一项名为“一种半导体器件及制造方法“，授权公告号CN111834462B，申请日期为2019年2月。专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制造方法，该器件通过沟槽
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