不畏半导体景气修正,三星逆势大扩产,锁定先进制程晶圆代工与存储器,急追台积电,同时也恐打乱存储器市场复苏脚步,牵动南亚科、华邦等台厂后市。法人指出,台积电、英特尔、SK海力士、美光、南亚科等国际半导体大厂因应市况调整,已陆续下修资本支出,三星却逆势操作,不仅存储器扩产不踩刹车,晶圆代工也因基期低而大举在韩国与美国扩产,牵动全球半导体产业发展。彭博资讯引述首尔经济日报报道,三星位于南韩平泽的P3厂将扩增DRAM设备,每月可生产7万片的12吋晶圆,高于目前P3厂DRAM产线的每月2万片产能。三星将使用新的设备生产12纳米DRAM,截至第3季,三星每月的DRAM晶圆总产量为66.5万片,以增产7万片计算,增幅达10.5%,手笔不小。另一方面,报道指出,三星也规划将P3厂每月晶圆代工产量提高3万片,并增加4纳米产能,强攻先进制程。截至第3季,三星的每月晶圆代工总产量为47.6万片,换算增幅约6.3%。因应存储器与晶圆代工先进新产能需求,三星将新增至少10台极紫外光设备(EUV),目前三星已有约40台EUV,换算将增加25%。业界认为,三星晶圆代工因产能约五成自用与约五成对外接单而呈现供不应求,其4纳米制程已在本季陆续扩产到位。即便三星在先进制程产能规模仍仅约龙头台积电的五分之一,但三星展现强烈企图心追赶台积电。韩国媒体infostockdaily报道,三星晶圆代工4纳米制程先前已将良率提升至近约六成,随客户需求提升而决议扩充,相关投资挹注下,三星晶圆代工在4纳米投资将达约5万亿韩元(约40亿美元)。存储器方面,受智能手机、PC等需求疲软冲击,DRAM和储存型快闪存储器(NAND Flash)价格持续走跌,尽管其他原厂和台厂都祭出减产和缩减资本支出的策略,但业界龙头三星始终逆势运作,虽然有助于三星本身规模扩张,但对整体存储器市场而言并非好事,不仅会拖延库存去化的时间,也会使得相关同业营运更具压力。市调机构Omdia统计,三星在全球DRAM市场市占率节节攀升,从2021年第4季的41.9%,今年第2季扩大到43.4%,稳居龙头。NANDFlash方面,三星今年第2季市占率达33.3%,排名第一。今年以来,DRAM与NAND Flash报价跌跌不休,美光上季财报更陷入亏损,并预告本季面临连两季亏损压力,南亚科也坦言,本季可能陷入亏损。存储器业界原本预期,随着主要制造商减产、调降资本支出,市场可望在明年中过后逐步回归正轨,如今三星又砸钱扩产,使得产业复苏步调出现变数。
三星逆周期大扩产
作者:EETOP半导体社区 来源: 头条号 75012/28
不畏半导体景气修正,三星逆势大扩产,锁定先进制程晶圆代工与存储器,急追台积电,同时也恐打乱存储器市场复苏脚步,牵动南亚科、华邦等台厂后市。法人指出,台积电、英特尔、SK海力士、美光、南亚科等国际半导体大厂因应市况调整,已陆续下修资本支出,三
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