（报告出品方/作者：东海证券，周啸宇、陈宜权）

1.IGBT：电力电子装置的“CPU”

1.1. IGBT 是什么？

IGBT，中文全名为绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应 管（MOS）组成的功率半导体器件，为第三代功率半导体技术革命的代表性产品，具有高频、 高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为电力电子装置的“CPU”，广泛应用于 工业控制、轨道交通、白色家电、新能源发电、新能源汽车等领域。

依产品结构形式不同，IGBT 有单管、IGBT 模块和智能功率模块 IPM 三种类型。IGBT 单管主要应用于小功率家用电器、分布式光伏逆变器及小功率变频器等领域；IGBT 模块主 要应用于大功率工业变频器、电焊机、新能源汽车（电机控制器、车载空调、充电桩）等领 域（当前市场上销售的多为此类模块化产品）；智能功率模块 IPM 主要在变频空调、变频洗 衣机等白色家电领域有广泛应用。

根据应用场景的电压不同，IGBT 有超低压、低压、中压和高压等类型，其中新能源汽 车、工业控制、家用电器等使用的 IGBT 以中压为主，而轨道交通、新能源发电和智能电网 等对电压要求较高，主要使用高压 IGBT。

IGBT 多以模块形式出现，IHS 数据显示模块和单管的比例为 3:1。模块是由 IGBT 芯片 与 FWD（续流二极管芯片）通过定制化的电路桥接，并通过塑料框架、衬底及基板等封装 而成的模块化半导体产品。基础工作原理在于，以最小能量损耗实现电流转换，是一种具有 隔离栅极结构的双极晶体管；栅极自身就是 MOSFET，因此结合了双极晶体管的高载流能 力和高阻断电压的优点。

1.2. IGBT 的发展史

自 20 世纪 80 年代发展至今，IGBT 芯片经历了 7 代技术及工艺的升级，从平面穿通 型（PT）到微沟槽场截止型，IGBT 从芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功 率损耗等各项指标都进行了不断的优化，断态电压从 600V 提高到 7000V，关断时间从 0.5 微秒降低至 0.12 微秒，工艺线宽由 5um 降低至 0.3um。此外，由于 IGBT 产品对可靠性 和质量稳定性要求较高，下游客户认证周期较长，所以产品的生命周期较一般集成电路产品 较长，对不同代际的 IGBT 产品，由于性能和需求差异导致应用领域略有不同，目前市场上 应用最广泛的仍是 IGBT 第 4 代工艺产品。

从 IGBT 模块芯片的内部纵向结构来看，IGBT 可分为穿通型（PT，punch through)， 非穿通型（NPT，non-punch through)。PT(punch through)结构是最“古老”的 IGBT 技术， 在 1980~1990 年间占据主导地位，英飞凌第一代 IGBT 就是采用的 PT 技术。NPT(nonpunch through)结构是德国西门子公司 1987 年推出，为上世纪 90 年代的主流产品。FS （field stop）：2000 年，西门子公司研制出新的 IGBT 结构，fieldstop-IGBT(FS-IGBT)，它 同时具有 PT-IGBT 和 NPT-IGBT 的优点，至今一直居于主导地位。英飞凌第三代及以后的 IGBT，均采用了 FS 技术。

1.3.IGBT 的技术发展趋势

自从二十世纪八十年代中期研发出第一只 IGBT 器件以来，IGBT 技术经历了几个不同 发展阶段，这些技术都是用来平衡 IGBT 自身的各种特性的，这些特性如下所示：1）降低 导通损耗；2）降低开通和关断时的开关损耗（开关速度快）；3）器件开关的软特性；4）提 高电流密度；5）提升电压等级；6）减少半导体材料（降低成本）；7 ）提高最高工作结温； 8）扩展 SOA（安全工作区）。

随着 IGBT 的技术发展，传统场截止型结构已接近其理论极限。超结及半超结器件凭借 耐高温、低损耗和高抗短路能力在 IGBT 领域备受关注，是 IGBT 未来技术发展主要探索方 向。

2.IGBT 应用市场规模和空间

2.1.全球 IGBT 应用市场规模

近十年来，全球 IGBT 市场规模保持连续增长，从 2012 年的 32 亿美元增长至 2021 年 的 70.9 亿美元，CAGR 增长 6.6%，其中工控和新能源汽车是 IGBT 需求占比最大的两个下 游领域，分别占比为 37%和 28%，其次是新能源发电和家电变频市场，需求占比分别为 9% 和 8%。2020 年以来，新能源汽车需求明显提速，2021 年较 2020 年需求占比提升 19%， 是 IGBT 主要的增量需求来源。

2.2.中国 IGBT 应用市场规模

目前，我国是全球最大的 IGBT 需求市场，需求量约占全球四成，且需求占比有望持续 提升。根据 WSTS（世界半导体贸易统计组织）的数据，中国 IGBT 市场销售规模从 2016 年的 88 亿元（人民币）增长至 2021 年的 238.8 亿元，CAGR 超 20%，远超全球平均水平， 预计至 2025 年仍将维持高速增长，市场规模将有望超 486 亿元。

从中国市场的供需情况来看，自 2015 年以来，IGBT 的国产量从 498 万只到 2021 年 2580 万只，CAGR 约 39%，期间，国内需求量从 2015 年的 4918 万只到 2021 年 13200 万 只，CAGR 在 15%-28%之间，尽管本土产量增速高于需求增速，但供需缺口绝对量仍有较 大空间，仍以进口为主。其中原因主要系我国功率器件整体的技术水平相对较低，产能主要 集中于中低端产品范围，在 IGBT 等新型功率器件这一类高技术、高附加值的中高档产品领 域中，国外企业拥有绝对的竞争优势，我国需大量进口来满足国内市场需求。

从下游 IGBT 需求结构来看，我国 IGBT 需求结构与全球市场不同，新能源汽车、消费 电子（统计口径包括家电）和工控是 IGBT 需求占比最大的三个下游领域，分别占比 31%、27%和 20%。我国 IGBT 在新能源领域的应用占比远超全球平均水平，主要受益于国家“双 碳”战略，新能源领域需求旺盛，导致 IGBT 用量大幅增加，是我国 IGBT 需求增长的主要 驱动力。

国内新能源需求爆发，IGBT 成长空间巨大。在国内 IGBT 市场规模快速增长，新能源 需求爆发贡献主要增量的背景下，本土 IGBT 企业依托国内新能源产业扩容，以其自身产品 竞争力、供应链的优势和巨大的市场提升空间，加速提升 IGBT 国产替代份额，我们保守预 计，2025 年中国 IGBT 市场规模将有望超 450 亿元，CAGR 约 20%，成长空间巨大。

2.2.1.新能源汽车

众所周知，在电动化驱动下，电池、电驱和电控是电动新能源车的三大重要部件。而 IGBT 则是电控系统中的核心元器件，它决定了新能源汽车的行驶性能。

根据英飞凌 2021 年财报显示，在国际上 IGBT 的单车价值为 330 美元，约占新能源汽 车整车总成本的 5%以上，是电控系统里面成本占比最大的元器件。针对我国电动新能源汽 车，经过我们测算，单车价值约为 273 美元，随着我国电动新能源汽车的蓬勃发展，以及大 功率对 IGBT 的要求越来越高，将间接提高 IGBT 在整车的成本比重，不断拓宽 IGBT 成长 空间。

另外，我们预计 2022 年我国新能源汽车销量将突破 600 万辆，对应的 IGBT 市场规模 为 16.38 亿美元，保守假设 2025 年中国汽车销量为 3000 万辆，新能源渗透率为 45%，销 量约为 1350 万辆，按单车价值 281 美元来算，中国车规级 IGBT 市场规模将达到 38 亿美 元，对应人民币市场约 260 亿，市场空间广阔。

2.2.2.新能源发电

IGBT 被广泛应用于光伏逆变器和风电变流器，主要是将光伏组件和风机发出的电压和 一定频率的电能，经过交直转换为稳定电压和频率的电能馈入电网或接入家庭用户。而 IGBT 等功率器件是新能源发电逆变器实现逆变功能的核心，主要应用在 DC/DC 升压、DC/AC 逆变电路中，在中能源发电市场加速转型的背景下，光伏风电发展大有可为，是 IGBT 市场强劲的驱动力，增速将持续远超全球平均水平。

光伏方面：IGBT 是光伏逆变器核心零部件，充分受益于光伏发电蓬勃发展。我们保守 预计，到 2025 年光伏发电 IGBT 市场规模将达到 22.1 亿元，CAGR 约为 13.35%，增速高 于全球平均水平。（1）我们根据中国光伏行业协会测算，预计 2025 年全球和中国光伏新增 装机量分别为 300GW 和 100GW；（2）至 2025 年，光伏逆变器装机成本约为 0.17 元/W， 自 2021 年光伏逆变器成本每年下降 3%左右；（3）根据固德威招股说明书预测， 预计 IGBT 占逆变器的成本占比维持在 13%，至 2025 年，每 GW 光伏装机量成本中 IGBT 约为 2200 万。

风电方面：保守预计，到 2025 年风电发电 IGBT 市场规模将达到 11.28 亿元，CAGR 约为 12.88%，稳步增长，并且增速高于全球平均水平。（1）我们根据 GWEC 测算，预计 2025 年全球和中国风电新增装机量分别为 119.4GW 和 50.15GW；（2）至 2025 年，风电 变流器机成本约为 1.5 亿元/GW(按 2022 前三季度年我国平均陆上风电电机组价格含塔筒 的中标价格的 6%测算)，并维持不变；（3）我们将 IGBT 占风机变流器的成本占比维持在 15%，至 2025 年，平均每 GW 风电装机量中 IGBT 的成本约为 2250 万。

2.2.3.工业控制

工控产品市场主要以变频器以及伺服系统为主，伺服系统中，大、中、小型伺服系统占 比分别为 45%，37%以及 18%。而变频器、大、中、小型伺服系统的 IGBT 价值量占比假设 分别为 8%，3%，10%以及 8%。根据前瞻产业研究院的数据，预计中国变频器市场规模从 2020 年到 2025 年预计将增长至 883 亿元；中国伺服系统市场规模将从 2020 年的 149 亿 元增长至 2025 年的 214 亿元。综上，保守预计 2025 年中国 IGBT 市场规模为 84.53 亿元， 2021 年至 2025 年 CARG 维持在 9.81%左右。

2.2.4.轨道交通

IGBT 是轨交牵引系统的核心零部件，产品主要以高压 IGBT 为主。轨交 IGBT 终端需 求量与中国铁路投资额密切相关，高增速阶段分别对应了 2008 年的高铁大规模建设以及 2013 年的“四纵四横”高铁网建设。随着铁路固定投资趋稳，铁路计划调整变动不大，整 体对 IGBT 需求量相对稳定。

2.2.5.白色家电

随着节能减排相关政策推行及消费升级下，我国变频家电渗透率将不断提高，IPM 是变 频家电的关键器件，充分受益。我们保守预计 2021 年至 2025 年 CARG 维持在 8%左右， IPM 需求稳步增长。

2.3.中国 IGBT 市场需求总量

2021 年我国 IGBT 市场规模达 224 亿，是全球最大的 IGBT 需求市场，需求量约占全 球四成，且需求占比有望持续提升。根据我们测算，预计 2025 年中国 IGBT 市场规模将达 到 486 亿，CAGR 超 19%，整体维持较快增长，远超全球平均水平。其中，新能源领域需 求增速最为显著，是我国 IGBT 市场空间发展的主要方向。

3.行业发展环境及政策

自 2018 年以来，美国对我国的科技企业和产业制裁不断升级，从一开始的征收电子器 件高额关税到今年的《出口管制条例》，美国对中国输出的尖端技术封锁层层加码，中美脱 钩风险与日俱增，通过国产替代实现产业链的自主可控已上升到国家战略。近年来，国家陆 续出台一系列政府补贴和激励政策等措施，大力促进半导体行业发展，为行业 “自主、安 全、可控”的产业链发展提供了充分的燃料。

4.IGBT 市场竞争格局

从全球市场竞争格局来看，欧美日厂商资金实力雄厚、技术水平领先、产业经验丰富， 凭借先发优势抢占了全球功率半导体绝大多数的市场份额，并且一直保持较大的领先优势。 国内厂商在全球竞争中不具备优势，所占市场份额较低。在国内市场竞争格局中，国际大厂 仍占据绝大部分市场份额，国产化率低于 20%。 得益于 IGBT 产品更新迭代缓慢，给予本土 IGBT 企业技术追赶时间，部分企业已实现 技术突破，并快速抢占市场。根据 2021 年英飞凌财报显示，本土企业士兰微在全球 IGBT 单管及 IPM 市占率达到 3.5%、2.2%，均位列全球第八；斯达半导在全球 IGBT 模块市占率 达 3.0%，位列全球第六。

4.1.IGBT 的壁垒

IGBT 行业有三大壁垒，分别是技术壁垒、品牌和市场壁垒、资金壁垒，核心体现就是 芯片和模块的设计能力，产品的认证周期以及扩产能力。我们主要关注芯片和模块的设计能 力以及产品的认证周期。

4.1.1.IGBT 的技术壁垒

IGBT 的技术环节主要包含了 IGBT 芯片以及模组的设计、制造和封装。在设计环节， 由于 IGBT 芯片需要工作在大电流、高电压和高频率等的环境下，还要保证芯片的开通关断、 抗短路能力和导通压降的均衡，对芯片的可靠性有着很高的要求，设计和参数的调整优化十 分特殊复杂，因此 IGBT 芯片自主研发的门槛要求非常高，设计人员需要有非常多的行业 know how 的积累。在制造环节，由于芯片模块的集成度高，芯片本身的背面工艺难度高， Fabless 模式下需要与代工厂实现技术和工艺的深度磨合等因素要求，其制造环节同样有着 较高的难度。

4.1.2.IGBT 的市场壁垒

IGBT 是下游应用产品的核心器件，IGBT 的产品性能、可靠性以及稳定性对下游产品的 性能表现有着直接的影响。因此，客户在选择 IGBT 时往往会经过产品单体测试、整机测试、 多次小批量试用等多个环节之后，才会做出大批量采购决策、采购决策周期较长，这也就导 致客户在选择供应商时通常偏于保守，且有明显的跟随性，即下游客户往往跟随自己所在行 业的行业龙头去选择 IGBT 供应商。一旦 IGBT 供应商获得了客户的认可，则双方将进行长 时间的合作，在不发生产品质量问题以及供应链保障问题的情况下，由于替换成本高、风险 大等因素，客户一般没有进行更改和替换的动力。

4.1.3.IGBT 的资金壁垒

IGBT 同样属于资金密集型行业，研发投入大，各环节的生产测试设备投入大，产能扩 张是半导体重资产行业重要的决策之。一方面，需考虑扩建周期长短，是否能够顺应当前半 导体产业所处周期阶段，确保产能释放时能够被充分消化；另一方面，IGBT 对技术稳定性 及安全性要求较高，认证周期较长，前期需持续大量的研发投入，沉没成本较高，对行业玩 家有着较强的资金要求。

5.国内 IGBT 核心企业

5.1.斯达半导：国内 IGBT 模块领军企业，新能源业务开启新 纪元

5.1.1.公司概况

公司成立于 2005 年 4 月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块，尤其是 IGBT 芯片 和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业，是目前国内 IGBT 领域的领军企业。 公司主要产品为功率半导体元器件，包括 IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC 等等，成功研 发出了全系列 IGBT 芯片、FRD 芯片和 IGBT 模块，实现了进口替代。产品广泛应用于新能 源汽车、工业控制和电源、新能源（光伏/风力发电）、白色家电等领域。2021 年，IGBT 模 块的销售收入占公司主营业务收入的 94%以上，是公司的主要产品。IGBT 模块的全球市场 份额占有率国际排名第 6 位，在中国企业中排名第 1 位。

由 Fabless 迈向 IDM，双模式齐头并进。公司自主设计的 IGBT 芯片由华虹和上海先 进两家代工厂生产，合作关系稳定。公司是华虹 12 英寸线功率芯片的主要客户之一，并通 过与华虹合作研发出第七代微沟槽 Trench Field Stop 技术的新一代车规级 IGBT 芯片，产 品性能优异，并已批量出货。公司目前手中订单充裕，将有望通过华虹和上海先进新增产能 实现快速增长。 另外，公司前瞻布局，由 Fabless 转入 IDM，卡位 SiC 市场。2022 年 9 月，公司定增 35 亿元投入到技术研发中心扩建项目、高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目、SiC 芯片 研发及产业化项目以及功率半导体模块生产线自动化改造项目。本次定增的高压特色工艺功 率芯片研发及产业化项目将完善公司整体的产品布局，弥补了目前两家代工厂中低压产品的 局限，向高压特色工艺功率芯片领域拓展，该项目投资 15 亿元，根据累计投入金额估算， 项目目前进度大概 11.8%，建设周期为 3 年，预计将形成年产 30 万片 6 英寸高压功率芯片 的生产能力。

5.1.2.业务分析

新能源业务持续放量，推动业绩快速增长。2017-2021 年，公司营收年 CAGR 达到 40.50%，归母净利润的 CAGR 达到 65.80%。2022 年前三季度已超过 21 年整年营业收入 达到18.74亿元，归母净利润为5.92亿元。其中，新能源业务收入从2022年上半年的47.37% 进一步提升至 51.44%。主要系公司车规级 IGBT 持续放量，2022 年上半年，公司合计配套 超过 50 万辆新能源汽车，其中 A 级以上汽车配套超过 20 万辆，是公司主要的增长驱动力。

从产品结构来看，IGBT 模块是公司的主要营收来源，2021 年占比达到 94%，毛利 率从 2019 年的 30.44%上涨至 36.83%。公司的产品主要应用于工控及电源行业、新能源 行业中，2021 年占比分别为 62.37%、33.48%，工控及电源行业同比减少 11pcts，新能 源行业同比提升 11.2pcts，公司工控基本盘稳固，新能源汽车和光伏客户持续放量助力新 能源板块占比大幅提升。 产品结构优化，盈利能力逐年提升。2019 年至 2022 年 Q3，公司毛利率和净利率逐年 提升，3 年间销售毛利率由 30.61%提升至 41.07%，净利率由 17.42%提升至 31.60%。主 要系公司产品结构优化，效益较高的车规级 IGBT 持续放量。凭借先发优势、领先技术、 规模化效应、品牌口碑以及过硬的产品实力，公司在行业内具有较高的议价能力，预计公 司能够维持较强的盈利能力。

公司持续加大研发投入，巩固行业领先地位。2022 年前三季度投入总额为 126.66 亿 元，同比上涨 6.76%。公司的期间费率随着收入上升反而逐步下降（由 2017 年的 17.56% 下降到 2022 年前三季度的 6.58%），处在合理水平范围。公司研发投入略高于行业平均， 但盈利能力远超行业水平，表明公司研发回报率较高。公司已研发出第七代 IGBT 芯片，且 产品性能可媲美国际巨头，雄厚的研发能力是公司在国内保持领先地位的根本。

5.1.3.结论及推荐

公司深耕 IGBT 领域，前瞻布局 SiC、高压芯片，是公司高成长的基石。凭借优异的产 品竞争力及研发能力，卡位新能源市场，充分受益于新能源产业扩容。公司正逐步向 IDM 转 型，待 SiC、高压 IGBT 等产品陆续量产，将成为公司强有力的增长引擎。

5.2.时代电气：顺应新能源发展大势，打造第二成长曲线

5.2.1.公司概况

时代电气前身是中车株洲电力研究所，后经过一系列资产重组，于 2005 年成立。公司 深耕研发动车牵引传动控制系统，是我国轨交电气设备领域的绝对龙头。经过长期对高压功 率器件的技术沉淀和多元化发展，切入中低压 IGBT 市场，成为我国头部新能源 IGBT 供应 商。

5.2.2.业务分析

轨交基本盘夯实，切入新能源打开第二成长曲线。2021 年之前，轨道交通设备业务的 比例占到接近 80%以上，公司近几年致力于新兴装备业务（电动新能源汽车电驱系统等业 务），切入新能源市场，并已有明显成效。新兴装备业务营收占比快速提升，营收占比从 2021 年的 17.01%提升至 2022 年前三季度的 32.45%，2022 年前三季度毛利润约 20%左右。 另外，公司依托轨交高压功率半导体技术储备，凭借 IDM 模式的灵活性顺利斩获雷奥 超 250 万台的订单，表明公司在车规级 IGBT 领域已获得市场高度的认可，助力公司新能源 业务蓬勃发展，打开第二成长曲线。

盈利能力短期承压，中长期向好趋势明显。公司近两年的毛利率与净利率下滑，主要系 以下两个原因：1）公司调整轨交产品销售结构导致产品价格略有下调。2）公司持续加码 IGBT 产线投入，产销量仍处于较低水平，由于 IDM 模式特性，毛利润在产线尚未实现规模 化生产前短期承压。但我们认为，随着公司加快推进新能源业务，2022 年前三季度公司净 利率由 2021 年的 13.56%小幅回升至 14.57%，新兴装备业务效益雏形初现，公司盈利能力 将有望持续改善。

重视研发，产品打破外企垄断局面。2017 年以来，公司研发投入占比营收逐年提升， 自 2017 年的 8.96%提升到 2021 年的 11.81%，截止到 2021 年，研发人员总计 2728 人， 占比提升到了 35.28%。公司持续加大研发投入，多项 IGBT 产品技术打破外企垄断，实现 国产替代。

5.2.3.结论及推荐

公司轨交业务稳健发展，新兴装备顺应新能源发展大势。公司高压 IGBT 产品打破海外 垄断，技术优势明显。凭借 IDM 模式优势，叠加多年高压 IGBT 技术沉淀，快速切入中低压 车规级 IGBT 模块赛道，并成为国内头部车规级 IGBT 供应商。同时，公司提前布局 SiC 市 场，积极推进车规级 SiC 应用，且技术水平与产品性能接近海外厂商。公司积极布局车规级 功率半导体市场，顺应新能源发展大势，是公司第二成长曲线。

5.3.士兰微：秉承多元化发展理念，结构优化成长可期

5.3.1.公司概况

士兰微是国内最早的功率半导体 IDM 厂商之一，经过二十余年的发展，其技术水平、 营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。2021 年，公司 IPM 模块以及 IGBT 单管全球市占率分别为 2.2%和 3.5%，全球出货量排名第六和第十，是公司主要产品。 公司秉承多元化发展理念，利用公司在多个芯片设计领域的积累，转战中高端新能源高景气 赛道。

5.3.2.业务分析

短期业绩承压，成长可期。截止到 2022 年第三季度，公司营业收入为 20.59 亿元，较 去年同期增长了 7.63%，环比下降 5.69%，增速有所放缓，主要系下游消费电子市场需求放 缓所致，业绩短期承压；实现归母净利润 1.75 亿元，同比下降 41.01%，环比降低 47.10%。 面对消费电子下游需求疲软，公司积极优化产品结构，通过定增融资切入新能源赛道。车规 级 IGBT 和 SiC-MOSFET 等产品推出顺利，并已批量上车，将成为公司强有劲的增长来源。

从产品结构来看，公司的主要产品分为分立器件、集成电路和发光二极管产品，其中集 成电路和分立器件正在 2022 年上半年营收为 36.28 亿元，占总营收的 86.71%。公司产品 单季度综合毛利率为 27.41%，环比下降 3.42%，主要系 LED 芯片产能利用率因疫情大幅度 下降以及成都限电引起的产线停产导致。

研发投入加大，产品优化降本增效明显。近五年来，公司研发投入不断提升，从 2017 年的 2.79 亿元增加至 2021 年的 6.27 亿元，同比增长 29.22%，但因为公司产品结构优化， 营收大幅增长，导致公司研发支出下滑至 8.73%，超行业水平。同时，随着产品结构及产线 持续优化，公司降本增效成效明显，截至 2022 年 Q3 期间费用率下降至 16.05%。

5.3.3. 结论及推荐

多元化品牌效益明显，定增加码新能源赛道，成长可期。公司秉承多元化发展理念，产 品线覆盖面广，是我国领先的平台型半导体企业。另外，公司顺应新能源发展潮流，定增融资切入车规级 IGBT 模块以及 SiC MOSFET 领域，优化公司产品结构，产品研发进展顺利， 盈利能力持续改善，成长可期。

5.4.新洁能：新能源发电持续发力，高值产品蓄力待发

5.4.1.公司概况

公司成立于 2013 年 1 月，成立以来即专注于 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器 件的研发、设计及销售，产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、新能源发电及新能源 汽车等领域，是最早在 12 英寸工艺平台实现沟槽型 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET 量产的企 业。凭借多年的技术和本土供应链的优势，收获国内新能源头部企业青睐，例如宁德时代、 阳光电源等，是我国 IGBT 等半导体功率器件设计领域领军企业。

5.4.2.业务分析

自 2017 年以来，公司营业收入逐年稳步提升，2021 年营业收入 14.98 亿元，同比增长 56.89%，归母净利润从 0.52 亿元增至 4.1 亿元，4 年 GR 为 65.57%。受益于汽车电子、光 伏、储能等新兴领域拉动，及近年来国内半导体行业快速发展，2022 年前三季度营业收入 为 13.3 亿元，归母净利润为 3.38 亿元。

从产品结构来看，公司近 5 年功率器件占比逐年提升，从 2017 年的 57.32%提升至 2021 年的 90.47%，主要系公司积极布局功率半导体封装提升品牌影响力。细分到产品类型来看， 屏蔽栅功率 MOSFET 和 IGBT 产品营收占比逐年提升，受益于新能源行业持续扩容，预计 将延续较快增速的趋势。

持续加码研发，推动产业化升级。2017-2021 年公司研发投入规模从 2162 万元增长 至 7969 万元，4 年 CAGR 达到 38%，高于公司同期营收的增速，研发投入占比持续增加， 2022 年前三季度研发投入总额为 6258 万元。公司定增加码功率半导体研发及产业化，其中 包括第三代半导体 SiC/GaN、功率 IC 及 IPM 模块、车规级功率器件的研发及产业化，推动 产品升级，进一步提升行业地位。

5.4.3.结论及推荐

受益于新能源行业扩容，高附加值产品加速放量。公司产品持续迭代升级，高附加值产 品已打入国内头部新能源企业供应链，出货量有望持续增长。另外，公司通过定增加强布局 功率 IC、第三代半导体 SiC/GaN 、MOSFET 等功率集成模块，与现有产品配套，提升产 品竞争力，巩固行业领先地位。公司持续围绕功率半导体板块布局，将有望充分受益新能源 行业的扩容。

5.5.宏微科技：卧薪尝胆砥砺前行，打造 IGBT 民族品牌

5.5.1.公司概况

宏微科技于 2006 年 8 月在江苏常州成立，是国内第一批生产制造 IGBT 的公司，自成 立以来，一直从事 IGBT、FRED 为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、 研发、生产和销售。产品广泛应用于工控和新能源领域，凭借优异的产品性能，深度绑定比 亚迪、汇川技术等头部优质客户；并在规划产能释放下，实现更强的规模效应。

5.5.2.业务分析

新能源驱动 IGBT 需求激增，公司业绩指标持续向好。当前我国新能源行业需求旺盛， IGBT 作为新能源行业的核心零部件充分受益。公司自研芯片 IGBT 模块以及单管性能优越， 抢占先机斩获光伏大单。在新能源需求驱动下，公司业绩持续向好，2021 年公司营收同比 增长 66.04%达到 5.51 亿元。2022 年前三季度营业收入 6.15 亿元，同比上涨 66.18%。 2022 年前三季度扣非归母净利润为 4858 万元，同比增长 13.03%。

产能初具规模，盈利能力得以改善提升。公司营收结构主要以模块和单管为主，2022 年 上半年合计占比高达 94%。公司单管的营收占比自 2017 年以来稳步提升，主要系公司把握 新能源发展契机，加深国内代工厂合作，获取更多产能份额。公司前期净利率低于行业平均 水平，主要系公司采购规模较小，供应链里议价能力偏弱，生产成本高于行业水平。随着公 司规模持续扩大，有效降低采购成本及单片生产成本，公司盈利能力得到有效提升。

生产线自动化改造及规模化生产，降费初显成效。近五年来公司研发投入逐年提升，截 止到 2022 年前三季度已经投入了 0.41 亿元超过了 2021 年整年的研发投入额。公司期间费 用率整体呈现下降趋势，主要系营收规模增长迅速导致，截止到 2022 年前三季度公司的期 间费用率下降至 12.91%。

5.5.3.结论及推荐

紧抓光伏、车规 IGBT 双主线，进军新能源市场。2022 年前三季度，公司新能源收入占 比为 43%，较 2021 年 10%的收入占比有明显提升，其中，光伏 IGBT 收入占比增长最为显 著，占比约 28%，预计公司新能源业务全年占比将达到约 50%。公司不断扩大新能源业务， 夯实工控 IGBT 业务基础，光伏以及车规级 IGBT 研发进展顺利，助推公司业务快速成长。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

精选报告来源：【未来智库】。「链接」